三星擬將傳統記憶體後端遷往越南以釋放HBM產能
Nashnova编辑部
三星電子正考慮將部分通用DRAM及NAND封測業務從韓國遷往越南，騰出天安、溫陽兩地後端產能專攻高頻寬記憶體（HBM），計劃仍處討論階段。
三星點解要將封測搬去越南？
邏輯好直接：越南接手傳統記憶體的封裝測試（封測），韓國工廠就可以將有限的產線同設備集中畀HBM。
HBM（高頻寬記憶體，專門為AI晶片配套的高速記憶體）需求持續攀升，三星韓國後端產能重心正加速向HBM傾斜。
這意味著→ 三星的抉擇唔係「要唔要擴產」，而係將現有產能騰畀邊個——答案越嚟越明確指向HBM。
越南工廠準備到咩程度？
三星正喺越南太原省興建一座投資15億美元的半導體測試工廠，目標2027年11月投產。
規劃最大年產能為DRAM 1533億Gb、NAND快閃記憶體2556億Gb，定位於傳統記憶體業務。
2026年第一季，三星已喺越南設立三星越南半導體（SVS）子公司並納入合併報表——簡單來說＝越南工廠已經唔係「未來計劃」，而係財務上已經落地嘅實體。
韓國工廠嘅HBM改造去到邊？
截至今年7月，三星已就天安同溫陽兩地HBM相關設施投入約56萬億韓圜。
溫陽規劃建設五條HBM生產線，天安則新增HBM設備並推進產線現代化改造。
天安工廠此前已接近滿負荷，正進行舊設備拆除同新設備安裝——這意味著→ 天安短期內騰挪空間有限，溫陽成為HBM擴產嘅主力。
呢件事對市場意味著咩？
將傳統記憶體封測遷往海外，係三星韓國產能從通用記憶體向HBM轉型嘅自然延伸。
這反映出一個更大嘅行業信號：AI驅動嘅HBM需求已經大到迫使頭部廠商重新劃分全球產能版圖。
該計劃尚未正式確認——三星係咪最終落實、規模同時間表點樣，將係觀察其HBM產能擴張節奏嘅關鍵變量。
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