三星赴日佈局3.xD chiplet先進封裝，橫濱實驗室正式投入運營
nashnova research
三星電子橫濱先進封裝實驗室2026年9月全面運營，近百名工程師聯合50餘家日企攻關3.xD chiplet技術，五年投入400億日圓——先進封裝正式升格為三星第三大戰略支柱。
橫濱實驗室到底在做甚麼？
實驗室聚焦3.xD chiplet技術（將2.xD平鋪互連與3D垂直堆疊結合的封裝路線），目標是造出面向AI及高性能運算的大面積晶片模組。
試驗線四個方向：細間距晶片對晶圓鍵合、大面積樹脂中介層（用特種樹脂代替矽做晶片之間的「橋樑」，成本更低、面積可以做更大）、大基板上的細間距倒裝貼裝，以及多晶片模組的供電優化。
這意味著→ 三星瞄準的不是單純把晶片疊高，而是把封裝面積做大、把不同類型的晶片拼在一起還能穩定供電——這正是當前chiplet量產的最大樽頸。
為甚麼選在日本？錢從哪來？
三星計劃五年投入400億日圓，日本中央政府補貼最高200億日圓，橫濱市再追加25億日圓——政府資金佔比接近總投入的一半。
近100名日韓工程師駐場協作，合作方超過50家日企，包括設備商東京電子及基板供應商揖斐電。
簡單來說＝ 日本在基板、特種材料、半導體設備上的積累是三星自己補不了的短板，把實驗室建在供應商門口，工藝聯調的速度快一個量級。
先進封裝在三星內部地位怎麼變了？
2026年8月FMS大會上，三星明確將先進封裝與存儲、晶圓代工並列為三大戰略支柱，覆蓋從設計到量產的全流程。
三星還預告了zHBM概念——將HBM（高頻寬記憶體）垂直堆疊在AI加速器正上方，而非傳統的並排放置，但尚未將zHBM與橫濱項目直接掛鈎。
客戶端信號同步釋放：三星與博通7月簽署合作備忘錄，在存儲、先進代工及封裝三個領域擴大協作，覆蓋面向AI與網絡晶片的2.3D及2.5D集成。
和台積電日本布局比，有甚麼不一樣？
台積電更早入場：2021年設立日本3DIC研發中心，2022年在筑波完成潔淨室建設——這是台積電在台灣以外首個配備潔淨室的研發設施。
技術側重不同：台積電聚焦邏輯+存儲+外圍器件的高密度3D封裝，三星則明確指向大面積3.xD chiplet模組，重點突破樹脂中介層和大尺寸基板工藝。
這反映出兩條路線的分野：台積電從「疊得更密」切入，三星從「鋪得更大」切入——最終誰能將技術積累轉化為可量產的差異化能力，是這筆投資價值的核心看點。
項目進展到哪一步了？
日本經產省2026年6月階段性評估顯示，項目進展符合計劃，預計2028財年完成。
簡單來說＝ 從投錢到出成果，三星給自己畫的時間線大約是四到五年；現在剛過中段，還未到驗證量產能力的關鍵節點。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。