三星放緩1d DRAM及第十代NAND投資，現有產線高利潤率壓低換代緊迫性
Miles Bennett
三星推遲1d DRAM和第十代NAND投資，核心原因是記憶體價格大漲令現有產線利潤充裕，搶跑良率未穩的新節點反而會拖累盈利——整個存儲行業正從「追新」轉向「榨舊」。
三星為何不急着上1d DRAM？
1d DRAM（第七代10納米級DRAM節點）投資目前僅維持在試驗線水平，最早2026年底至2027年上半年才推進。
關鍵設備仍在研發中，多家供應商目標交付時間為2027年第二季，實際初始量產最早要到2027年底。
這意味著→ 從試驗到量產至少還有一年半窗口，三星並不打算搶跑。
知情人士的原話很直白：歷史上節點切換多發生在行業下行期，但當前記憶體價格極高，現有產線已能產生充足利潤，換代緊迫性大幅降低。
1c DRAM鎖定HBM5，對1d意味著甚麼？
三星已決定在HBM5產品中沿用1c DRAM（第六代10納米級節點），5月底已向主要客戶送樣12層HBM4E。
簡單來說＝ 1c既是當下量產主力，又是近期高端產品的基礎，三星沒有理由在它還能賺錢時急着換代。
這意味著→ 1d DRAM的定位從「下一站」變成了「再下一站」，時間表被1c的生命周期拉長了。
第十代NAND為何更難推？
第十代NAND投資自去年下半年起已多次推遲，核心障礙是工藝本身變貴了。
從第十代起，三星計劃引入晶圓鍵合（將存儲單元和外圍電路分別製造在兩片晶圓上再接合）——每顆成品晶片要消耗兩片晶圓，還要增加額外製造步驟，單位成本顯著上升。
簡單來說＝ 以前一片晶圓出一顆晶片，以後兩片才出一顆，成本直接翻倍式增長。
而三星在第九代NAND上以單晶圓方案做到了286層堆疊，層數領先競爭對手，且不用承擔晶圓鍵合的額外成本——現有優勢仍在，主動吃更高成本的動力就更小了。
競爭對手已經用了晶圓鍵合，三星為何還能等？
長江存儲（Xtacking品牌）和鎧俠（CBA架構）均已商業化晶圓鍵合技術。
但三星的第九代NAND在單晶圓架構下層數領先，這意味著→ 它暫時不需要為追層數而被迫切換到更貴的工藝。
設備行業消息人士明確表示：當前投資優先級明顯向DRAM傾斜，NAND居後。
不只三星——整個行業都在「榨舊」？
SK海力士同樣受限於潔淨室產能，預計將近期資本開支集中於擴大1c DRAM產出，支撐其HBM4E項目。
蘋果CEO蒂姆·庫克在今年1月業績電話會上表示，公司正面臨記憶體價格顯著上漲的壓力。
這反映出 AI基礎設施建設熱潮將產能向高頻寬記憶體傾斜，進一步收緊常規晶片供給。三星已表示2026年和2027年產能擴張均將保持克制。
這套策略的邊界在哪裡？
邏輯很清晰：價格周期足夠強時，次世代節點的切換成本反而成為負擔，廠商寧可在已知良率的成熟節點上最大化產出。
說白了＝ 能賺錢的時候先賺夠，新技術等價格跌了再上。
但這個策略有時間窗口——1d DRAM量產時間表能否在2027年底前兌現，將是檢驗這套「榨舊」邏輯何時觸頂的關鍵節點。
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