三星sub-10nm DRAM路線圖轉向混合鍵合技術
nashnova research
三星電子將混合鍵合架構定為其首代sub-10nm DRAM（D0a製程）的基準方案，垂直溝道晶體管方案被分拆為獨立分支。這意味著三星在最先進DRAM製程上押注了一條更貼近成熟封裝工藝的主路線，同時為高風險的新架構保留一條平行跑道。
三星到底改了甚麼？
據Digitimes報道，三星將D0a製程的基準方案從原先的統一推進，改為以晶圓對晶圓混合鍵合（一種令兩片晶圓直接面對面貼合、實現電氣連接的封裝工藝）為主線。
原本與混合鍵合並行推進的垂直溝道晶體管（VCT）（一種將晶體管豎起來排列以縮小面積的全新設計）被移至獨立的D0a-V分支單獨演進。
簡單來說＝以前兩條技術路線綁在一起向前走，現在三星將它們拆開——混合鍵合當主力，VCT當實驗性備選。
點解揀混合鍵合做主線？
混合鍵合是一種已在先進封裝領域得到驗證的工藝，台積電等廠商已將其用於3D堆疊晶片的量產。
這意味著→三星選擇了一條工藝成熟度更高的路徑作為主線，降低了D0a製程量產時的技術不確定性。
而VCT設計雖然理論上能大幅縮小DRAM單元面積，但屬於架構層面的根本性變革，量產難度更大、時間線更長。
呢條路線走唔走得通？
報道來源於Digitimes付費內容，三星官方尚未公開確認這一路線圖調整。
這反映出該信息目前仍處於供應鏈消息階段，尚未成為三星正式對外公佈的戰略。
關鍵驗證節點在於：混合鍵合技術能否在D0a製程上實現量產級別的良率——若良率不達標，這條主線的戰略意義便要打折扣。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。