三星發布400層BV-NAND，存儲密度提升58%
Miles Bennett
三星在FMS大會上發布超400層堆疊的第十代V-NAND原型晶片BV-NAND，存儲密度較上一代提升約58%。這意味著→ AI數據中心對大容量、低功耗快閃記憶體的需求，正在重塑存儲晶片的技術路線。
BV-NAND究竟是甚麼？
BV-NAND（V10 Bonding V-NAND）是三星第十代堆疊快閃記憶體原型晶片，層數突破400層，採用全新的晶圓鍵合架構（將兩片晶圓直接對貼在一起的工藝）。
相較上一代V9 NAND，存儲密度提升約58%，讀寫及輸入/輸出性能同步改善。
簡單來說＝ 同樣大小的晶片，能裝下比以前多近六成的數據，同時讀寫速度亦更快。
晶圓鍵合為何是核心技術？
三星表示，晶圓鍵合技術可將能效提升至傳統方案的3倍，同時熱阻降低超過50%。
這意味著→ 晶片堆得更高，但發熱更少、耗電更低——這正是數據中心最關注的兩個指標。
背後邏輯：AI推理工作負載（即大模型回應用戶查詢的生成過程）快速擴張，數據中心急需容量更大、功耗更低的NAND快閃記憶體，BV-NAND正是針對這一方向而設計。
zHBM和zNAND-O又是甚麼概念？
三星同時展示了zHBM與zNAND-O概念模型，定義為行業首創。
傳統HBM（高帶寬記憶體）將存儲晶片放在AI處理器旁邊；zHBM則將存儲單元垂直堆疊在處理器正上方，縮短數據傳輸路徑，帶寬與能效同時提升。
三星稱，該鍵合技術最終可實現超過傳統HBM5存儲密度十倍以上的水平。簡單來說＝ 把倉庫從隔壁搬到樓上，搬運距離短了，速度和效率都上去了。
市場需求端怎麼看？
三星上週披露，與客戶簽訂的長期協議最終或將佔其存儲銷售額的60%–70%。這反映出AI需求的持續強勁，客戶願意提前鎖定產能。
花旗分析師上月研報指出，儘管終端市場存在放緩擔憂，DRAM與NAND供應鏈庫存仍遠低於歷史正常水平。
BV-NAND能否如期從原型走向量產，將是驗證三星在AI存儲賽道競爭力的關鍵節點。
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