三星1d DRAM量產計劃成形，最快明年底啟動初期量產
Claire Weston
三星電子正推進第七代1d DRAM量產準備，量產設備最快明年第二季導入，初期量產最早明年末啟動——這是三星AI記憶體路線圖的關鍵一步。
1d DRAM是甚麼，比現有的強在哪？
1d DRAM是第七代10納米級DRAM，電路線寬約10至11納米。
目前商用的上一代1c DRAM線寬約11至12納米。這意味著→ 線寬每收窄約1納米，晶片的性能與能效便再上一個台階。
簡單來說＝ 同樣面積的矽片可以放入更多記憶單元，速度更快、更慳電。
為何不是今年量產，卡在哪裏？
三星此前已完成1d DRAM樣品製作及內部量產評估，市場一度預期今年即可量產。
但關鍵製造設備仍處於開發階段，設備未到位，量產無從談起。
這反映出 先進DRAM的樽頸不僅在設計端，設備供應鏈的成熟度同樣是硬性制約。
現時的時間表如何？
三星正與多家合作夥伴推進量產設備開發，目標最快明年第二季導入設備。
一位半導體行業人士透露：三星與夥伴正積極推進良率及性能穩定化研發，「目標是在明年第二季或第三季導入量產設備。」
考慮到設備導入後仍需調試及爬坡，實際初期量產最快在明年末。相關計劃有望在今年年末前後具體化。
這對三星AI記憶體佈局有何意義？
1d DRAM將用作第九代高頻寬記憶體HBM5E的核心裸片（die，晶片上一個個獨立的小方塊，是堆疊的基本單元）。
HBM5E預計2029年商用。這意味著→ 1d DRAM是HBM5E的底層基礎，其量產節奏直接決定三星能否按時交付下一代AI記憶體。
說白了＝ 沒有1d DRAM，HBM5E便是空中樓閣；明年末能否順利起量，是三星AI記憶體時間表的第一道關口。
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