三星SK海力士混合鍵合引入時間推遲
Miles Bennett
三星與SK海力士將混合鍵合引入下一代HBM的時間表推遲至HBM4E的16層版本，厚度標準放寬和替代散熱方案削弱了短期切換動力，但I/O密度翻倍將令該技術在HBM5E階段重回必選項。
混合鍵合為何沒有按時登場？
混合鍵合（一種令晶片銅線路直接對接、毋須焊球的連接工藝）原本預計隨HBM4首次商用，但三星和SK海力士都沿用了傳統的熱壓鍵合。
這意味著→ 業界最早引入混合鍵合的節點已推遲至HBM4E的16層版本，比此前預期至少遲一代。
簡單來說＝ 新技術並非不好，而是舊技術仍然頂得住，廠商選擇暫不更換。
厚度標準放寬——切換壓力怎麼減輕了？
HBM3E及之前的產品受720微米厚度上限約束；HBM4放寬至775微米，晶片堆疊從8/12層向12/16層演進時有了更多空間。
JEDEC正在討論將HBM5的20層產品上限進一步放寬至約1000微米（現行約900微米）。
這意味著→ 標準越寬鬆，壓縮晶片間距的需求越弱，混合鍵合「省厚度」的核心賣點短期內不再緊迫。
12層還是16層——客戶到底要哪個？
業內人士透露，客戶與製造商關於16層HBM的討論尚不活躍，12層預計在HBM4E階段仍是主流。
三星12層HBM4E樣品速率最高達16Gbps，較HBM4速度提升逾20%；SK海力士版本同樣達到每引腳16Gbps，功耗效率提升逾20%。
簡單來說＝ 16層才是混合鍵合的主戰場，但市場尚未走到那一步，12層用舊工藝已夠應付。
不換鍵合方式也能解決散熱？
混合鍵合的另一優勢是去除導熱性差的底部填充材料，改善散熱。但兩家公司各自開發了替代方案，繞過了這一需求。
三星方案叫熱路徑模組（HPB），SK海力士叫iHBM；兩者都在HBM堆疊旁放置獨立散熱組件，目前均處於HBM5測試階段。
這反映出 存儲廠商傾向於在現有鍵合基礎設施上「打補丁」，而非為散熱一個理由就整體切換工藝。
I/O密度翻倍——混合鍵合何時變成必選項？
HBM4的I/O數量較上一代翻倍至2,048個，要求晶片間距更緊密；熱壓鍵合的凸塊在高密度下會橫向擴展，可能難以為繼。
業界正在討論HBM5E將I/O數量再度翻倍至4,096個，届時混合鍵合可能從可選變為必要技術路徑。
三星研究數據顯示，混合銅鍵合在伺服器模擬條件下熱點溫度更低，並可將堆疊高度降低逾15%。
這是「退出」還是「排序」？
兩家公司均在持續推進混合鍵合研發，當前策略更接近「排序」而非「退出」。
這意味著→ 在標準與客戶需求趨於穩定的窗口期，廠商延續現有工藝；一旦I/O密度超出熱壓鍵合的承載上限，切換將不可避免。
簡單來說＝ 不是技術路線變了，是時間表往後挪了——混合鍵合從「下一代就用」變成了「再下一代再說」。
Content is for reference only, not financial advice.