SK海力士2026年資本支出將達40兆韓元高位，美日擴張待定
Taylor Wilson
SK海力士確認2026年資本開支升至約270億美元的歷史高位，全力押注AI存儲製造；但美國和日本建廠尚無正式承諾，海外擴張仍懸而未決。
270億美元花在哪？
2026年資本開支鎖定40萬億韓元高位區間（約270億美元），核心方向是擴大AI存儲產能。
主要項目包括：M15X工廠加速量產爬坡、龍仁Fab1潔淨室建設（計劃2027年初開放）、PMD7擴大先進封裝產能，以及M17作為新NAND生產基地。
這意味著→ SK海力士把絕大部分資金押在韓國本土的DRAM、NAND和封裝三條線上，先把家門口的產能堆滿。
HBM走到哪一代了？
HBM4已於2026年第二季度開始出貨，下半年進入全面量產。
更先進的HBM4E樣品已在上半年交付主要客戶，目標2027年量產。
公司同時在開發HBM5及配套散熱技術——其中封裝級散熱方案IHBM可將熱阻降低逾30%。
簡單來說＝ HBM（高頻寬記憶體，為AI晶片「餵數據」的關鍵部件）正在一代接一代快速迭代，散熱已經成為和晶片本身同等重要的工程難題。
NAND和AI存儲產品線怎麼布局？
321層NAND目前佔SK海力士生產最大份額，年底前目標提升至韓國國內產能的50%。
AI存儲不只靠一種產品——公司圍繞不同工作負載構建組合：高性能TLC企業級SSD、高容量QLC企業級SSD、SLC模式專用SSD。
這意味著→ AI數據中心的需求正在分化：有的場景要速度，有的要容量，有的要耐久性，SK海力士在用「產品矩陣」而非單一爆款來覆蓋。
基於1c納米制程的SOCAMM2產品已開始供貨。
美國和日本建廠，到底建不建？
公司尚未就美國或日本新建產能作出正式承諾。
企業中心總裁宋賢鍾表示，海外產能決策將視商業可行性、電力與水資源、勞動力、當地半導體生態系統及客戶可及性綜合評估，「並非對某一地點存在固定偏好」。
簡單來說＝ SK海力士的態度是「條件合適就去，不合適就不去」——不會為了政治信號而倉促落地。
這反映出一個更深的信號：美日建廠能否落地，將是觀察SK海力士全球產能布局真實意圖的核心驗證節點。
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