SK海力士推進iHBM冷卻技術量產 熱阻降幅逾30%
nashnova research
SK海力士正與上下游供應商磋商，推進下一代集成冷卻技術iHBM的量產，目標將熱阻降低逾30%——這意味著HBM5時代的散熱瓶頸有了一條新的工程解題路徑。
iHBM到底是甚麼？解決甚麼問題？
HBM（高頻寬記憶體）把多層DRAM晶片像疊積木一樣摞在一起，底部有一顆「基礎晶片」負責與外界通訊。
問題在於：基礎晶片產生的熱量必須穿過頭頂所有DRAM層才能散出去——層數越多，散熱越難。
iHBM的做法是在基礎晶片內部嵌入一個叫ICE（集成冷卻元件）的散熱結構，等於給熱量開了一條毋須向上爬的旁路。
這意味著→ 熱量多了一條出口，熱阻降低逾30%，晶片在高溫AI負載下更穩定。
這項技術為何現在推？誰在催？
英偉達、AMD等AI加速器廠商持續向HBM供應商施壓：要更低功耗、更好散熱。
SK海力士計劃將iHBM隨HBM5一同推出，HBM5預計2029年前後量產。
簡單來說＝ 客戶的AI晶片越來越熱，誰先解決散熱問題，誰就在下一代HBM訂單中佔先。
設計上有甚麼巧妙之處？
ICE採用電絕緣但導熱好的硅基材料，塞進基礎晶片的空餘空間——毋須改動上面已有的DRAM堆疊結構。
同時保留了SK海力士現有的MR-MUF（大規模回流模塑底部填充）封裝工藝。
這意味著→ 客戶毋須重新設計系統，現有供應鏈大體不變，量產門檻更低。
量產最大的風險在哪裏？
行業觀察人士指出三項潛在風險：
熱膨脹係數不匹配——不同材料受熱膨脹速度不一樣，可能產生機械應力，影響結構可靠性。
電氣特性驗證——ICE緊鄰基礎晶片的通訊層（D2D PHY），任何改動都須確認不干擾信號。
說白了＝ 把新零件塞進一個已經非常擁擠的三維結構，既不能影響散熱效果，也不能干擾電信號——兩件事要同時做到，是量產前最難的驗證環節。
2029年之前，關鍵看甚麼？
SK海力士目前已在用台積電CoWoS封裝技術對HBM5進行驗證，並考慮擴大供應商網絡。
iHBM能否在不損害電氣性能與製造良率的前提下可靠量產，是2029年落地前最關鍵的節點。
這反映出 AI算力競賽的瓶頸正從「算得快」轉向「散得掉熱」——封裝與散熱正成為下一個核心戰場。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。