SK海力士押注EUV延續6F²架構，長鑫存儲以4F²突圍
nashnova research
三大DRAM廠商在單元架構路線上出現罕見分歧——SK海力士和美光堅守6F²，三星和長鑫存儲押注4F²，路線之爭的本質是：縮小單元面積究竟能不能真正降低成本。
6F²和4F²到底在爭甚麼？
6F²和4F²是衡量DRAM儲存單元面積的指標——F是製程最小線寬，數字越小，同樣線寬下單元面積越小。4F²比6F²小三分之一。
這意味著→ 理論上，4F²能在同一塊晶圓上放入更多儲存單元，儲存密度更高。
但SK海力士指出關鍵限制：單元縮小不等於成本下降——電容間距（相鄰儲存電容之間的物理距離）、工藝複雜度、製造良率都會影響最終的有效密度和成本。
簡單來說＝ 格子畫得更小，不代表每個格子都能用；畫小格子本身也更費工。
SK海力士和美光為甚麼不走4F²？
SK海力士在Q3業績電話會上明確表態：繼續用EUV光刻延續6F²架構，4F²和三維DRAM保留在路線圖上，但沒有量產時間表。
美光立場更堅決。技術負責人德博爾（Scott DeBoer）稱公司研究4F²近二十年，結論是擴展收益有限——DRAM密度從根本上受電容間距制約，單元縮小未必帶來預期的整體密度提升。
這意味著→ 兩家巨頭的判斷一致：在現有工藝條件下，6F²配合EUV的性價比更高，4F²的理論優勢還不夠大到值得承擔工藝風險。
美光的最終方向是跳過4F²，直接轉向三維DRAM（把儲存單元縱向堆疊而非平面縮小）。
三星為甚麼選擇押注4F²？
三星首席技術官宋在赫在首爾半導體展上確認：公司正在開發4F²架構。
據The Elec報道，三星計劃2026年完成首款基於10a節點的4F²開發，2027年質量測試，2028年量產——但三星本身未確認這一時間表。
這反映出三星的策略差異：作為三大廠中唯一同時推進4F²量產的一家，三星可能在賭搶先實現4F²的廠商能拿到密度優勢。
SK海力士據報道則計劃在更後一代的10b節點才引入4F²，節奏明顯更保守。
長鑫存儲的4F²路線有甚麼不同？
長鑫存儲面臨一個硬約束：出口管制使其無法獲得EUV光刻設備。
這意味著→ 6F²加EUV這條主流路線對長鑫存儲走不通，4F²成了一條不得不走的替代路徑。
長鑫存儲總裁曹敏披露：計劃2026年底前推出基於4F²架構的伺服器DDR5 RDIMM產品，採用自研垂直環繞柵晶體管（VSG，一種讓電流縱向流過的晶體管結構），全部依託現有DUV光刻（深紫外光刻，比EUV低一代的光刻技術）實現。
簡單來說＝ 別人用最先進的刻刀把格子畫小，長鑫存儲用上一代刻刀但換了一種畫法，目標是達到類似的密度。
長鑫存儲的方案靠譜嗎？
目前長鑫存儲尚未披露商業量產良率、客戶認證結果或大規模出貨數據。
這意味著→ 技術方案已經公佈，但從實驗室到量產之間的關鍵證據還是空白。
能否如期推出並通過伺服器客戶認證，是檢驗這條路線可行性的硬門檻——伺服器記憶體的可靠性要求遠高於消費級產品。
這場路線之爭說明了甚麼？
三大廠加上長鑫存儲，出現了三條完全不同的技術路線：6F²加EUV（SK海力士/美光）、4F²量產（三星/長鑫存儲）、直接跳到三維DRAM（美光遠期）。
這反映出DRAM行業正處於一個罕見的技術分叉點——沒有一條路線被證明是確定的贏家。
簡單來說＝ 過去幾十年DRAM廠商基本走同一條路，現在路分三岔，每家都在賭自己選的那條能先跑通。
對長鑫存儲而言，4F²不只是技術選擇，更是在設備封鎖下維持競爭力的生存策略。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。