SK海力士HBM5完成台積電封裝驗證，HBM4進入輝達Vera Rubin平台
nashnova research
SK海力士已完成HBM5與台積電CoWoS封裝的聯合驗證，下下代記憶體研發已與代工廠同步推進；與此同時HBM4剛被整合進輝達最新超級晶片Vera Rubin，AI存儲軍備競賽正加速前移。
HBM5驗證去到邊個階段？
SK海力士9月28日宣布，HBM5已完成與台積電CoWoS封裝的聯合驗證。
這意味著→ 下下代HBM產品的研發，已經和晶圓代工廠同步展開，而非做完晶片再交封裝。
台積電在9月23日聖克拉拉OIP大會上，將SK海力士評為3DFabric-HBM集成年度合作夥伴，連續第二年獲獎。
不過SK海力士尚未公布HBM5的量產時間表、性能規格及目標客戶。
點解封裝要提前介入？
HBM（高頻寬記憶體）的原理是將多層DRAM晶片垂直堆疊，再與GPU並排放在同一基板上，實現高速數據存取。
隨著堆疊層數增加、速度提升，記憶體晶片的性能高度依賴它與處理器的封裝方式——單獨做完再移交，已經行不通。
簡單來說＝ 以前是「晶片做好再裝盒」，而家是「盒同晶片必須一齊設計」，SK海力士的封裝工程師從驗證早期就與台積電協作。
這反映出AI晶片競賽的瓶頸，正從「邊個晶片更快」轉向「邊個晶片同封裝配合得更緊」。
HBM4同Vera Rubin平台進展如何？
SK海力士在OIP大會上展示了搭載12層、36GB HBM4的輝達Vera Rubin平台方案。
同台展示的還有96GB SOCAMM2——一種用於CPU主記憶體的低功耗DRAM模組。
這意味著→ HBM4已從實驗室階段進入平台整合，正在向量產靠近。
AI存儲需求仲會漲幾多？SSD架構點跟？
SK海力士工程師朴大植預測，企業級PCIe SSD市場將從2026年的509 EB增長至2030年的1,933 EB，增幅約3.8倍。
為應對增長，SK海力士計劃將PCIe 6及PCIe 7 SSD的控制器拆分為更細的chiplet（小晶片），用UCIe標準（一種晶片間互聯協議）連接，取代單一大控制器設計。
簡單來說＝ 以前SSD入面有一塊大腦晶片管曬所有嘢，以後拆成幾塊小腦各管一攤，邊塊要升級就單獨換，開發周期更短、升級更靈活。
之後要留意啲咩？
HBM5能否如期推進量產，是驗證SK海力士技術領先的核心節點。
SK海力士與台積電在封裝層面的深度協同，能否轉化為對三星等競爭對手的持續領先，市場仍在觀察。
朴大植未披露SSD需求預測的數據來源，這一數字的可靠性有待交叉驗證。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。