SK海力士年底量產375層NAND，首次引入鉬材料
Alina Collins
SK海力士計劃年底量產375層3D NAND，首次以鉬替代部分鎢工藝；這意味著NAND快閃記憶體正式進入「材料換層數」的新階段，設備與材料供應鏈格局隨之改寫。
為甚麼原來說好的400層，變成了375層？
該產品內部代號原為「400層級NAND」，但超高層疊工藝中溝道孔蝕刻（在數百層薄膜中打一個極深極細的直孔）難度過大，最終下調至375層。
這意味著→ 層數並非「想堆多高就堆多高」，製造精度到了這個高度會反過來限制設計目標。
後續路線圖已排到480層和604層，說明375層只是當前工藝能力的妥協點，並非終點。
不建新廠，怎樣量產新產品？
SK海力士不新建晶圓廠，而是對清州M15現有產線進行改造，把原來生產176層、238層、321層的線切換到375層。
簡單來說＝ 同一座工廠、同一批設備位，換上新工藝做更高層數的產品——產能不增加，但每片晶圓產出的儲存比特更多，成本更低。
目前375層NAND已完成生產驗證，正準備向量產線轉移。
為甚麼一定要換材料——鎢到底出了甚麼問題？
隨著層數增加，字線（word line，每一層儲存單元的信號通道）寬度不斷縮窄，鎢的電阻隨尺寸縮小而急劇上升，信號傳輸變慢。
鉬（Mo）在細微結構中電阻更低，可直接提升讀寫和擦除速度。
還有一個隱性好處：鎢沉積前需要額外的阻擋襯層（barrier liner），每層都有厚度損耗；鉬可以直接沉積，省掉輔助層，為更高密度結構騰出物理空間。
這反映出 NAND從「比誰堆得高」進入了「比誰的材料能撐住更高層數」的競爭——材料科學正在取代純結構工程，成為制勝關鍵。
設備選型：SK海力士為甚麼選了TEL而不是泛林？
三星2024年4月率先在第九代286層NAND中引入鉬工藝，用的是泛林集團（Lam Research）的單片處理設備。
SK海力士評估了泛林和東京電子（TEL）兩套方案後，選擇了TEL的爐管式沉積設備——一次可處理約100片晶圓。
這意味著→ 爐管方案在設備成本、佔地面積和鉬材料消耗上都更省，適合大規模量產場景。兩家巨頭在鉬工藝上走了不同的設備路線。
鉬材料供應鏈：誰在供貨，缺口有多大？
預計向SK海力士供應鉬材料的廠商包括法國液化空氣集團（Air Liquide）、恩特格里斯（Entegris）和默克集團（Merck KGaA）。
韓國本土供應商SK Specialty亦在洽談中，但目前不具備自有儲存與配送系統，正討論借助Air Liquide的配送基礎設施供貨。
簡單來說＝ 韓國本土想自己做這門生意，但「最後一公里」的罐儲和運輸能力還得靠海外巨頭搭橋。
鉬的用量會漲多快？
業內估算三星鉬採購量：2024年約4噸→ 2025年約10噸→ 2027年25噸→ 2030年80噸，六年增長20倍。
SK海力士明年起正式用鉬，初期年消耗量估計約4噸。
這意味著→ 三星加上SK海力士，兩大巨頭同時放量，鉬材料供應鏈正進入快速擴張週期——上游材料商的產能規劃將成為下一個瓶頸觀察點。
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