SK海力士375層NAND年底量產，美股上市最早8月落地
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SK海力士計劃年底前在韓國清州量產375層3D NAND，同時最早8月赴美上市——SEC可能6月22日當周批准ADR申請。這意味著→ 全球第二大存儲晶片商正將產品迭代與資本市場動作壓縮到同一個窗口期。
375層NAND到底點樣造出嚟？
SK海力士不新建產線，而是將清州M15工廠現有的176層、238層、321層產線直接轉換用途。簡單來說＝ 不起新樓，將舊樓重新裝修。
產品已完成生產驗證，正準備切換至量產狀態。這反映出 SK海力士選擇了「快速迭代、低資本開支」的路徑，而非大舉建新廠。
該產品原定內部代號為「400層級」，最終定為375層——層數越高，溝道孔刻蝕（在晶片裡打一條貫穿幾百層的垂直通道）的難度急劇上升，375層是當前工藝的務實上限。
點解要將鎢換成鉬？
核心變化：375層設計在金屬柵極電極（字線，即晶片內部傳遞讀寫指令的導線）中引入鉬，部分替代傳統的鎢。
這意味著→ 層數越高、線越細，鎢的電阻就越大、信號越慢；鉬在細線結構中電阻更低，讀寫擦除更快，還省掉了鎢沉積前必需的阻擋襯層，騰出空間堆更多層。
設備方案上，SK海力士比較了Lam Research與東京電子（TEL）後選定TEL的爐管式沉積設備，一次可處理約100片晶圓，成本與佔地面積更優。
鉬的供應鏈邊個喺度卡位？
供應商方面，Air Liquide、Entegris、默克（Merck KGaA）預計為SK海力士供應鉬材料；韓國本土的SK Specialty亦在洽談，但尚未具備獨立的儲存與輸送基礎設施。
SK海力士正推動SK Specialty借助Air Liquide的配送體系供貨——簡單來說＝ 本土供應商有材料但無物流，要「借船出海」。
行業估算：三星去年鉬採購量約4噸，今年升至約10噸，2030年有望達80噸；SK海力士明年起大規模使用，初期約4噸/年。這反映出 鉬正從小眾金屬變成存儲晶片的戰略材料。
NAND策略的核心邏輯係咩？
SK海力士的策略不是擴大總產能，而是提升比特產出效率——削減低層數產品，以375層產品填補，壓低單位成本。
一名行業消息人士表示：「與DRAM不同，NAND行業目前更關注盈利能力而非出貨量。」這意味著→ 在NAND供過於求的大環境下，堆產能不如堆利潤。
簡單來說＝ 同一片晶圓，層數越高能存的數據越多，單位成本就越低——375層的核心價值不是「多」而是「平」。
產能三倍擴張靠咩支撐？
SK集團會長崔泰源表示，SK海力士晶圓產能預計到2034年增至現有水平的三倍。「五年內翻倍，等所有設施建成後到2034年前後是三倍。」
龍仁基地正在建設四座工廠，首期預計明年初竣工，整體計劃較原定2045年完工提前了約十年。
韓國本土建完後，下一步考慮海外建廠，日本是重點方向——崔泰源的理由是日本有電力、潔淨水、工程師及化學品供應商的完整生態。
美股上市進展到邊一步？
據路透援引兩名知情人士，SEC可能於6月22日當周批准SK海力士的ADR申請，最早8月在美國上市。
這意味著→ 若按期推進，SK海力士將成為繼三星電子之後又一家在美上市的韓國存儲巨頭，直接對標美股投資者的半導體配置需求。
崔泰源表示對AI基礎設施需求的長期增長有信心，認為市場將從企業採購擴展至個人用戶的智能體AI服務。375層量產、ADR上市、產能三倍擴張——三條線能否同步兌現，是檢驗SK海力士戰略執行力的關鍵節點。
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