SK海力士Q2矽晶圓採購額環比增104%，備戰HBM擴產
nashnova research
SK海力士第二季矽晶圓採購額環比翻倍，力度遠超三星，這意味著→ AI存儲晶片的備料戰已從「搶產能」升級到「搶原料」，上游漲價壓力正在成形。
矽晶圓採購翻倍，到底在搶甚麼？
據DIGITIMES報道，SK海力士2026年Q2矽晶圓採購金額環比增長104%，採購力度顯著超過三星電子。
矽晶圓（將矽提純成的超薄圓片，是所有晶片的「地基」）在半導體製造成本中佔核心比重。
這意味著→ SK海力士判斷晶圓即將漲價，選擇提前鎖量，用今日價格買明日的料，壓住成本波動。
簡單來說＝ 並非需求突然翻倍，而是擔心日後買更貴，先把糧倉填滿。
產能要擴多少，錢從哪來？
為支撐下一代HBM4（第四代高頻寬記憶體，AI晶片旁邊負責餵數據的「彈藥庫」），SK海力士將1C DRAM擴產計劃上調至原目標的近兩倍，2027年Q1末月產量目標升至17萬–20萬片。
同時計劃投資40億美元在美國印第安納州興建下一代HBM封裝工廠。
底氣來自首季業績：營收52.58萬億韓元，同比增長298%；淨利潤率超過70%，DRAM與NAND均價均創單季歷史高位。
這意味著→ 當前利潤足夠厚，才敢同時在原料、產能、海外工廠三條線上大手投入。
技術迭代到了哪一步？
SK海力士已成功開發1c制程16GB LPDDR6晶片，推進流動裝置端下一代記憶體。
在NAND快閃記憶體端，已完成375層NAND的量產驗證，首次在字線金屬閘極中用鉬替代傳統鎢，計劃年底前量產。
簡單來說＝ 層數越高、存儲密度越大；換鉬是因為鎢在極細線寬下電阻太高，鉬能令信號跑得更快。
設備供應商為何突然能加價？
SK海力士打破行業慣例，向核心設備供應商開放價格調整窗口，默許部分一級供應商加價3%–4%。
這反映出過去五年設備商持續減價的格局已經結束——當客戶急於擴產，議價權便從買方轉向賣方。
在375層NAND鉬制程設備評估中，SK海力士最終選擇東京電子的爐式設備，替代泛林集團的單片方案。
這意味著→ 對特定工藝設備的高度依賴，進一步削弱了買方的議價空間。
這場軍備競賽的下一個觀察點是甚麼？
從矽晶圓翻倍採購到默許設備加價，SK海力士的動作表明：AI驅動的產能競賽正在加深存儲巨頭對上游的依賴。
關鍵驗證節點：矽晶圓製造商和核心設備供應商的加價能力能否持續兌現。
這意味著→ 若加價兌現，利潤會沿供應鏈向上游轉移；若需求不及預期，提前囤料反而變成成本包袱。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。