储存芯片板块狂欢，闪迪、美光科技涨超15%

美东时间5月8日，存储芯片板块掀起新一轮狂欢。

闪迪飙升超16%，美光科技大涨超15%，希捷科技涨超2%，均刷新历史新高。费城半导体指数整体大涨5.5%，同样创下历史新高。

美光本周大涨近38%，市值单周暴增2307亿美元

周五的大涨，只是美光科技本周狂飙行情的最新一章。

本周，美光科技累计上涨近38%，市值突破8400亿美元，单周市值增量高达2307亿美元。这是其自2008年12月以来表现最强的一周，过去一个月累计涨幅已接近84%。

自4月底以来，美光与闪迪的累计涨幅均已超过40%，成为费城半导体指数中表现最亮眼的成分股。

支撑这轮行情的，是一份令市场信心爆棚的财务展望：美光2026财年一季度营收136.4亿美元，同比增长57%，净利润52.4亿美元，同比飙升169%，预计下一季度毛利率将高达67%，盈利能力创近年来新高。

机构亦随之跟进，花旗最新报告将美光目标价从180美元上调至200美元，维持买入评级，认为存储芯片的涨价周期至少可持续至2026年底。

闪迪：AI时代最被低估的存储赢家

如果说美光是存储板块的"标杆"，闪迪则是本轮行情最大的黑马。

闪迪2026财年第二财季营收同比增长61%，净利润同比暴增672%，毛利率跃升至50.9%，其中数据中心业务营收同比增长76%。其CEO戴维·格勒克勒表示，到2026年数据中心将成为公司最大市场。

市场机构的态度同样激进，伯恩斯坦将闪迪目标股价大幅上调至580美元。

三大结构性驱动力，撑起"超级周期"

这一轮存储行情，背后三大驱动力：

首先是AI算力建设的"军备竞赛"。Meta、谷歌、微软等全球科技巨头近期纷纷上调AI资本开支预期，美银证券预计2026年全球超大规模云计算商资本开支将超过8000亿美元。

TrendForce数据显示，2026年全球生产的内存中高达70%将被数据中心消耗，预计到2028年的产能已被预订。

其次是HBM产能挤压带来的结构性供给紧张。全球三大存储芯片厂商美光、三星、SK海力士，均将大量DRAM产能转向生产高带宽内存，直接导致通用型内存供给短缺、价格暴涨。

DRAM和NAND闪存芯片的现货价格已分别上涨约25%和18%。机构对后续涨价周期同样乐观，花旗预计2026年DRAM平均售价上涨88%，NAND闪存平均售价上涨74%。

第三是科技巨头争相锁定长期供货。SK海力士与美光均透露，大型互联网科技企业愈发倾向签署长期供货协议，合约周期拉长至三年甚至五年。芯片设计厂商博通已敲定2028年前的全部存储芯片供货。

SK集团会长崔泰源近期表示，存储芯片供应紧张的局面将持续到2030年。

全球共振，A股存储板块同步狂欢

存储行情的躁动并不局限于美股。5月6日，韩国存储双雄SK海力士、三星电子续创历史新高，A股市场中，江波龙、佰维存储、兆易创新等存储板块龙头同步刷新历史高点。

狂欢之外，理性亦不可缺席。存储芯片行业历史上以周期性剧烈波动著称，涨价周期往往伴随着随后的供应过剩和价格暴跌，投资者需要关注下半年消费电子需求能否消化当前的价格涨幅。但就目前而言，AI驱动的需求浪潮，正在让越来越多的机构相信，这一次的"超级周期"，或许不同以往。