瑞銀首次覆蓋長鑫科技給買入，目標價70元
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瑞銀首次覆蓋長鑫科技，給予買入評級、目標價70元，隱含33%上行空間；該行判斷長鑫正處於DRAM供需緊張、AI需求爆發與國產替代三重利好的交匯點。
瑞銀憑甚麼給70元目標價？
瑞銀採用P/B-ROE模型（以淨資產收益率反推合理市淨率的定價方法）為長鑫定價，目標價對應2027年8.6倍市淨率。
這意味著→ 瑞銀認為長鑫的估值應比A股主要晶圓代工企業平均6.1倍市淨率高出約40%。
背後假設：2028至2030年平均ROE達37%，資本成本8.5%——若ROE無法兌現，估值溢價便站不住腳。
利潤預測為何比市場高這麼多？
瑞銀預計長鑫2026至2028年淨利潤分別為1,397億、3,328億、4,282億元，年均複合增速75%，較Wind一致預期平均高出約19%。
利潤率改善的核心驅動是折舊攤薄：折舊佔收入比將從2022至2025年的40%至119%驟降至2026至2028年的6%至10%。
簡單來說＝ 長鑫前幾年砸重金建產線，折舊包袱極重；一旦產能跑起來、收入放量，固定成本被稀釋，利潤率便會跳升——瑞銀預計毛利率將升至82%至89%。
產品結構怎麼變？誰在買單？
瑞銀預計伺服器DRAM收入佔比將從2025年的26%升至2028年的約51%，流動裝置佔比則由59%降至38%。
這意味著→ 長鑫正從手機記憶體供應商轉型為伺服器記憶體供應商，而伺服器DRAM單價更高，結構升級本身就能拉動盈利。
國產化訂單已落地：據報道字節跳動簽署逾70億美元採購協議，騰訊簽署逾200億元人民幣長期供應協議，阿里巴巴、聯想亦已成為客戶。
DRAM漲價週期還能撐多久？
瑞銀判斷DRAM供給短缺至少延續至2028年第二季，主因是AI基建投資持續增長、存儲廠商擴產受限。
DDR合約價格預計從2025年的0.40美元/Gb升至2027年的2.24美元/Gb，兩年複合增速137%；HBM（高頻寬記憶體，專供AI晶片的高端存儲）均價預計由1.52美元/Gb升至3.13美元/Gb。
這反映出一個關鍵結構性變化：三星、SK海力士、美光將產能向HBM傾斜 → 傳統DDR供給反而更緊 → 長鑫以DDR和LPDDR為主，直接受惠於大宗DRAM漲價。
產能擴張能支撐多大的份額？
長鑫DRAM月產能預計從2025年底的24萬片提升至2028年底的46.6萬片，新增產能來自合肥、北京擴建及上海、合肥新廠投產。
全球DRAM位供給份額預計從2025年的約7%升至2028年的約10%；中國伺服器DRAM市場份額從12%升至約20%。
工藝方面，長鑫已從G1、G3推進至G4節點並向G5邁進——先進製程遷移意味著同一片晶圓能產出更多存儲位，位出貨增速將高於產能增速。
這個邏輯最大的風險在哪？
瑞銀將長鑫的投資邏輯定性為「戴維斯雙擊」（盈利增長與估值提升同時發生）。
但該行自己亦指出：2029至2030年隨DRAM價格回歸正常水平，EBIT利潤率預計回落至68%至74%。
說白了＝ 目前的高利潤率建立在漲價週期之上；一旦週期轉向，利潤和估值可能同時承壓——高利潤率能持續多久、週期拐點何時到來，是驗證這套邏輯的關鍵。
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