長江存儲逼近SK海力士NAND份額，長鑫存儲引入高介電材料
Nashnova编辑部
長江存儲NAND收入份額升至16.2%，與SK海力士的16.4%幾乎持平；長鑫存儲將高介電金屬柵極技術引入最新DRAM——中國存儲晶片的競爭已從擴產量轉向拼制程和材料。
長江存儲的NAND份額是怎樣追上來的？
2026年Q1，長江存儲NAND收入份額從上季度的11.5%升至16.2%；同期SK海力士（含Solidigm）從21.4%跌至16.4%，兩者幾乎持平。
關鍵差距在制程代際：長江存儲68%的產出基於232層產品，而SK海力士約50%仍停留在176層。這意味著→ 長江存儲的主力產品比SK海力士領先了整整一代。
簡單來說＝ 更先進的制程同時意味著更低的生產成本和更高的售價，制程落後會被價格和利潤率雙重擠壓。
SK海力士為何在NAND上掉隊了？
SK海力士連續三年壓縮NAND資本支出：2023年35億美元 → 2024年30億美元 → 2025年29億美元，資源持續向DRAM和HBM（高帶寬記憶體，專為AI晶片供數據的超快記憶體）傾斜。
這反映出一個戰略取捨——SK海力士把賭注押在AI驅動的HBM需求上，但代價是NAND制程遷移明顯滯後。
三星和美光的節奏快得多：三星超60%產出已轉向236層，美光232層佔53%、276層已佔33%。
其他NAND廠商處在甚麼位置？
鎧俠與閃迪仍保留大量舊制程產能，Q2產出中162層和112層合計約佔70%。
但追趕速度在加快：218層產品佔比從2025年Q4的9%升至Q2的24%，兩個季度近乎翻三倍。
這意味著→ 整個行業都在向200層以上遷移，SK海力士的制程滯後不是「暫時慢一步」，而是被多家對手同時拉開差距。
長鑫存儲引入高介電材料意味著甚麼？
據TechInsights報告，長鑫存儲已在G4（16納米級）制程及LPDDR5X產品中引入HKMG技術（高介電金屬柵極——一種用特殊絕緣材料減少漏電、讓晶體管在同樣電壓下存更多電荷的工藝）。
DDR5和LPDDR5已實現量產。三星、SK海力士、美光均已採用HKMG——長鑫存儲引入這項技術，標誌著它從「擴產能」進入了「升級材料和晶體管結構」的階段。
說白了＝ 以前是比誰建的工廠多，現在是比誰用的材料和工藝更先進。
長鑫存儲的HBM進展到哪一步了？
長鑫存儲正以G3（18納米級）制程推進HBM2E風險量產，基於G4制程的HBM3正在客戶送樣。
TechInsights估計長鑫存儲仍落後領先廠商約兩代，但G5（15納米級）制程已在研發中。
這反映出中國DRAM的追趕路徑：一邊縮小現有代差，一邊必須跟上三星和SK海力士正在推進的4F²和三維DRAM（把存儲單元從平面排列變成立體堆疊的下一代架構）——能否同時做到這兩件事，將決定中國DRAM競爭力的天花板。
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