長江存儲佈局4F² DRAM，目標速率9600 MT/s
nashnova research
中國最大NAND快閃記憶體廠商長江存儲正式切入DRAM賽道，開發4F²架構晶片、目標速率9600 MT/s，但量產時間表未定，設備管制與良率驗證仍是核心變數。
4F²架構是甚麼？長江存儲為何走這條路？
4F²架構（一種令單個記憶體單元面積比傳統設計縮小約三分之一的晶片佈局）配合垂直溝道晶體管（VCT，將晶體管豎起來向上堆疊而非平鋪），可以在毋須更先進光刻機的前提下提升存儲密度。
這意味著→ 對於已被列入美國實體清單、難以取得尖端設備的長江存儲而言，4F²是一條繞開設備瓶頸的現實路徑。
但面積縮小≠成本更低或性能更強。良率、工藝複雜度、器件可靠性——這些決定商業競爭力的環節，長江存儲全部尚未驗證。
長江存儲同時推進幾個DRAM項目？
兩個獨立項目並行：4F²項目瞄準9600 MT/s，計劃在武漢三廠量產；16Gb低功耗DRAM項目自2025年10月起在武漢二廠推進，目標速率7500 MT/s，月投片量約5000片。
4F²項目聚焦智能手機等流動裝置的低功耗記憶體；16Gb項目為獨立研發線，兩者互不依賴。
簡單來說＝ 長江存儲並非押注單一路線，而是兩條技術路線同時跑，看哪條先跑通。
國內誰在與長江存儲爭4F² DRAM？
長鑫存儲（CXMT）計劃於2026年底前推出採用4F²技術的DDR5伺服器RDIMM模組，面向伺服器市場。
長江存儲的4F²設計則瞄準手機等流動端低功耗記憶體——兩家目標市場不同，但底層技術路線重疊。
目前兩家公司均未證明4F²架構已具備大規模量產能力，競爭格局仍停留在研發階段。
長江存儲的NAND本業現況如何？
2026年第二季度，長江存儲按NAND比特出貨量排名全球第三，超越鎧俠和美光，僅次於三星和SK海力士（含Solidigm）。
但按NAND營收排名仍居第五。這反映出其產品結構仍以低價消費存儲為主，高利潤的企業級固態硬碟（eSSD）佔比偏低。
eSSD正是行業增長最快的板塊：2026年Q2佔全球NAND比特出貨量約48%，一年前僅26%，AI數據中心需求是主要推手。
IPO融資的錢打算怎麼用？有沒有撥給DRAM？
母公司長存控股（CCSH Corporation）2026年8月申請上海科創板上市，擬募資330億元人民幣：208億元用於產線升級，122億元用於研發（涵蓋下一代NAND及高速存儲產品）。
申請已於9月進入問詢階段，但上市尚未完成。
這意味著→ 募資用途披露中未單獨列明4F² DRAM的專項資金——DRAM佈局目前在融資敍事中並非主角。
這件事最終成不成，卡在哪裏？
長江存儲在NAND領域的Xtacking技術（將存儲陣列與外圍電路分別製造，再通過晶圓鍵合拼到一起）或可為DRAM開發提供工藝參考，但DRAM在電容性能、漏電流、刷新機制等方面面臨與NAND截然不同的挑戰。
設備管制是最大外部變數：自2022年12月被列入實體清單以來，部分美國半導體設備和技術無法取得。
簡單來說＝ 技術路線畫得出來，但能否在受限條件下把良率做上去、再從三星和SK海力士手中搶到客戶，才是這條路值不值錢的最終考試。
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