蔡司：EUV缺口制約中國晶片追趕
Miles Bennett
德國光學巨頭蔡司兩位高管明確表態：中國晶片製造商試圖用先進封裝和多重曝光繞開EUV光刻的路徑存在根本性局限，製程差距短期內難以靠替代方案抹平。
中國製程到底落後多少？
蔡司SMT行政總裁羅蒙德稱，業界普遍評估中國先進製程約在7納米水平。
全球前沿已從3納米向2納米推進，並在準備下一代A14節點。
這意味著→ 中國與最前沿之間至少隔了兩到三個完整世代，且差距仍在拉大。
不用EUV，多重曝光能湊合嗎？
理論上，多重曝光（將同一塊晶片反覆光刻多次來畫更幼的線）可嘗試接近5納米級。
但代價是成本大幅上升、良率下降，商業競爭力被削弱。
簡單來說＝ 做不做得出是一回事，賣不賣得過人是另一回事——多重曝光做出來的晶片太貴、廢品率太高。
羅蒙德補充：若政府提供大規模長期補貼，部分路徑或仍可行，但這種模式長期無法與主流競爭。
先進封裝能替代EUV嗎？
蔡司首席技術官施塔姆勒明確表態：先進封裝（將多塊晶片像砌積木一樣組合在一起）與製程微縮並非替代關係，而是互補關係。
用較成熟的製程節點再透過封裝集成，系統性能確實能提升——但更大的晶體管意味著消耗更多矽片、功耗更高、封裝成本上升。
這意味著→ 封裝能補一部分分，但補不了根本分——每個晶體管本身的效率差距，封裝解決不了。
蔡司自己的立場是甚麼？
羅蒙德確認，蔡司與ASML均無法向中國出口EUV相關技術或設備，公司嚴格遵守出口管制。
這反映出 EUV供應鏈的封鎖不只是ASML一家的事——蔡司作為EUV光學系統的核心供應商，同樣被納入管制體系。
未來晶片競爭的底牌是甚麼？
施塔姆勒判斷：AI晶片性能的未來提升將同時依賴製程微縮與系統級創新，兩條腿缺一不可。
但這些新技術無法完全替代EUV或下一代High-NA EUV（更高精度的新一代極紫外光刻）的優勢。
簡單來說＝ 在AI時代，半導體競爭的本質仍是誰的光刻更先進——EUV與High-NA EUV就是這場競賽的入場券。
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