三星1d DRAM开发进度领先SK海力士约一季度
Nashnova编辑部
三星电子有望在2026年9月完成1d DRAM开发，比SK海力士预计的12月提前约一个季度，在最新制程代际重新夺回领先地位——但从开发到量产之间仍有关键变数。
1d DRAM是什么，为什么这个节点重要？
1d DRAM是第七代10纳米级内存芯片（每一代在同样面积上塞进更多存储单元，功耗更低、速度更快）。
三星在上一代1c DRAM曾落后于SK海力士——后者2024年8月率先完成16Gb DDR5开发。
这意味着→ 1d这一代是三星能否扳回一局的关键赛点，行业格局可能因此改写。
三星领先多少，SK海力士又推迟了多久？
三星目标：2026年9月完成开发，12月启动量产转移。
SK海力士原定2026年8月完成开发，现已推迟至2026年底，量产转移目标定在2027年6月。
用大白话说＝ 三星开始把芯片搬上产线的时候，SK海力士刚完成实验室阶段——开发和量产两个维度都被拉开了差距。
良率改善到什么程度了？
据知情人士透露，三星良率（芯片正常运作的比例）改善进展超出市场预期，但未披露具体数字。
目前热测良率（高温下的芯片测试）已达标，正在攻克冷测良率（低温测试，对稳定性要求更高）。
这意味着→ 芯片"能用"这一关已过，但"在各种极端条件下都稳定"还需要时间验证。
从开发到量产，中间的变数是什么？
消息人士指出，三星当前的1d开发方案不能直接用于量产，需要调整产线工艺、简化部分流程。
这反映出一个行业常态：实验室做出来和工厂大规模生产之间，往往还隔着工艺适配这道坎。
用大白话说＝ 时间表能否兑现，取决于产线调整能否按期完成——这是三星真正实现量产领先的关键验证节点。
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