伯恩斯坦：AI数据中心CPO规模化推迟至2030年后

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伯恩斯坦将共封装光学（CPO）规模化时间表从此前市场预期的2027—2028年大幅后移至2030年以后，真正成熟或要等到2035年——这意味着光互连供应链与高端铜箔材料链之间的受益窗口正在重新洗牌。

CPO到底推迟了多久，为什么市场要在意？

伯恩斯坦10月15日发布专家研讨会纪要：英伟达CPO交换机2026年夏出货，但有意义的行业采用从2030年以后才开始，技术成熟要到2035年及以后。

这意味着→ 与此前市场共识的2027—2028年规模部署相比，整整后移了两到三年，光模块公司短期的增长故事需要重新计算。

纪要核心嘉宾布拉德·史密斯曾任英伟达铜缆与光互连产品组合负责人，他给出的框架是：机架内尽量用铜，交换机周边逐步引入CPO，机架外长距离走单模光纤。

一条核心物理曲线：信号速率越高，铜缆可靠传输距离越短——25Gbps约7米，200Gbps约18英寸，400Gbps约12英寸，铜开始"消失"。

英伟达Vera Rubin机架内约5000根短铜缆，最长走线约18英寸。若全换成光，需额外约60千瓦功耗和约200万美元成本。用大白话说＝只要GPU之间距离压在18英寸以内，铜就是最便宜、最省电、延迟最低的方案，没有理由换。

但摩根士丹利给出关键约束：200G/lane速率下，铜缆链路难以覆盖超过约100颗加速器的纵向扩展域。英伟达单机架72或144颗GPU还能留在铜里；NVL576达576颗，已超铜覆盖范围。这反映出决定光何时进入的不是机架大小，而是纵向扩展域的规模。

良率关：台积电COUPE光引擎单件良率约95%，但一台交换机需要32个，整机良率仅约20%。用大白话说＝光纤耐不住焊接高温，只能事后手动贴装，一根偏了整台报废——量产效率极低。

测试关：单模光纤纤芯截面是硅波导的数百倍，微小偏移就让插损大幅跳变；环形调制器谐振随温度漂移，而绝缘层上硅的埋氧层导热比硅差约100倍；目前没有统一测试标准。英伟达2027年起才会新增光电同步的最终测试。

可维护性关：CPO交换机任何一个光引擎坏了，可能整台停用。这意味着→ 对数据中心运维来说，一个零件故障等于一台机器故障，运维风险远高于可单独更换模块的方案。

并没有。近封装光学（NPO，把光引擎从前面板移到紧邻芯片的电路板上，但不与芯片同封装）通过插座连接，可先贴光纤、测试合格后再插入——伯恩斯坦认为NPO能获得CPO的大部分好处，且更易制造，业内预计2027年就绪。

华为数据佐证：其Hi-ONE NPO方案让无故障运行时间翻倍、系统可用性升至99.8%，5500个Hi-ONE引擎替代48000个800G光模块，系统功耗降低超550千瓦。

这意味着→ NPO正在成为CPO推迟后的过渡主力，光互连的需求并没有消失，只是换了一种技术路径先落地。

10月12日英伟达与思科联合发布USFP可插拔光模块标准——首个支持每通道400Gb电信号的可插拔形态，初始总带宽6.4Tb/s，未来可扩展至12.8Tb。

高盛10月14日点评指出：英伟达亲自主导400G一代可插拔标准，说明可插拔至少会延续到下一代。这反映出在CPO成熟之前，可插拔路线获得了英伟达的"官方背书"。

用大白话说＝英伟达用行动表态——短期内不押注CPO做全部互连，而是让可插拔先跑完下一程。

CPO把高频走线从数十厘米缩至几毫米，覆铜板可降至M6级、HVLP2至3级铜箔；而USFP保留了交换芯片到前面板数十厘米、速率翻倍的400G电通道，反而需要HVLP5及以上超低损耗铜箔。

这意味着→ 可插拔延续得越久，交换机里的铜就越要往高端升级——高端铜箔厂商的受益窗口被拉长了。

CPO规模化后移，最终在光学供应链与高端铜箔材料链之间重新分配了受益时间窗口：铜箔厂商多吃两到三年红利，光模块厂商的爆发期相应后延。

市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。