中国存储芯片Q3景气延续，长鑫净利543亿元，产能与政策风险积聚

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长鑫存储第三季度归母净利润达543亿元，前三季度从去年同期亏损52.8亿元翻转为盈利1320亿元——但产能扩张与美国政策收紧正同时逼近，这轮红利的持续性面临双重考验。

长鑫这一季赚了多少，钱从哪来？

第三季度营收1187亿元，同比暴增613%；毛利率升至89.53%，几乎每卖出1元就有近9毛是毛利。

这意味着→ 长鑫吃到的是三星和SK海力士把产能转向HBM（高带宽内存，专供AI芯片的高端存储）后留下的通用型DRAM供给缺口——量价齐升，加上规模效应压低单位成本。

但归母净利润环比仅增3%，总净利润环比增约19%——差额流向了少数股东。用大白话说＝公司整体多赚的钱，大部分没有进到上市主体的口袋里。

截至三季度末，长鑫存货较2025年底增长约37%至392亿元；前三季度研发支出同比增73%至111亿元。

这意味着→ 长鑫在同时做两件事：备货抢市场份额，以及砸钱追技术代差——两条线都在加速烧钱。

高盛预计第四季度营收环比再增4%、毛利率约86%——增速放缓、毛利率小幅回落，景气顶部的信号已隐约可见。

七家中国存储设计公司第三季度营收全部同比增长。规模最大的兆易创新营收87.3亿元，同比增226%。

兆易创新归母净利润环比降约22%，但原因是投资估值波动——剔除后扣非净利润环比增31%至45.5亿元，经营面依然强劲。兆易持有长鑫股权，前三季度相关公允价值收益达430亿元。

但兆易存货较年初翻倍至62.9亿元，是设计公司中库存积累最明显的预警。这反映出下游需求虽旺，渠道已经开始囤货——一旦价格转向，库存就会变成负担。

兆易创新总经理何卫判断：DRAM供应偏紧2027年不太可能明显缓解，SLC NAND闪存（一种结构简单、速度快的闪存类型）上行周期至少延续至2027年。

集邦咨询预计第四季度通用型DRAM合约价格环比涨10%–15%，NAND闪存涨15%–20%，短期景气仍有支撑。

但晨星分析师余静洁指出：若长鑫率先将下一代4F²存储单元架构（一种能把单颗芯片存储密度翻倍的新设计）商业化，"鉴于中国DRAM产能的快速扩张，长期供过于求的风险将上升"。

美国商务部据报今年6月暂停了将长鑫列入实体清单的建议——短期压力暂缓。

但美国国会《MATCH法案》已于4月22日通过众议院外交事务委员会审议。这意味着→ 若最终立法，不仅禁止向长鑫卖新设备，还将禁止对已安装设备提供维修和技术支持——等于釜底抽薪。

用大白话说＝现在的风险不是"买不到新机器"，而是"现有机器坏了没人修"——对产能的威胁远比单纯禁售更深。

长鑫季报提及第六代技术平台DRAM工程样品验证进展，但未提及HBM。

这意味着→ 长鑫目前仍缺席AI算力需求最核心的产品赛道——它赚的是三星、海力士转产HBM后让出来的通用市场，而非直接参与AI算力竞争。

这反映出这轮盈利爆发的本质：长鑫并没有技术突破带来的定价权，而是结构性供给缺口带来的周期红利——一旦三星、海力士通用产能回补，或长鑫自身扩产过快，红利就会收窄。

市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。