三菱电机第五代SiC-MOSFET样品6月下旬开始出货
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三菱电机将于6月下旬开始出货第五代碳化硅MOSFET裸片样品，导通电阻降低约25%，主攻电动车驱动逆变器——这是车用碳化硅芯片性能竞赛的最新一步。
这次出货的到底是什么？
产品是两款第五代SiC-MOSFET裸片，6月下旬分批向模块封装客户供样。
SiC-MOSFET（碳化硅场效应晶体管，一种用碳化硅材料做的功率开关芯片）是电动车电驱系统的核心器件。
出货形式是裸片而非封装成品——这意味着→ 三菱电机瞄准的客户是下游的模块厂，由它们完成最终封装后再供给车企。
导通电阻降25%，对车有什么用？
新一代采用三菱电机专有沟槽结构，导通电阻较现有产品降低约25%，三菱电机称达到行业领先水平。
用大白话说＝ 导通电阻就是电流通过芯片时"被浪费掉的阻力"；降低它，电能转化为动力的效率就更高。
直接效果：逆变器与电驱桥（eAxle，把电机、减速器和逆变器集成在一起的驱动单元）的功率损耗更小，也为系统小型化创造条件——最终体现为续航里程延长。
可靠性上有什么说法？
三菱电机称其专有工艺可抑制性能退化，控制导通电阻和功率损耗在长期使用后的波动。
这意味着→ 芯片在车上跑几年后，性能不会明显衰减，逆变器和电驱桥的耐久性有保障。
但需要注意：当前出货的仍是样品阶段，量产时能否维持同样的性能一致性，是三菱电机自己也承认的下一阶段关键验证节点。
样品到量产，还差什么？
从裸片样品到车规量产，中间还有模块封装→车规认证→批量交付三道关。
这反映出 碳化硅功率芯片的竞争已经从"谁先做出来"进入"谁先大规模稳定出货"的阶段。
用大白话说＝ 样品性能领先是第一步；能不能把25%的电阻优势在工厂里批量复制出来，才是真正决定市场份额的事。
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