三星加速P5 Fab 2建设,存储芯片短缺预计延续至2028年
nashnova research
三星将平泽P5 Fab 2开工时间提前半年至2026年7月,并锁定多年期供应合同;存储芯片供不应求格局预计延续至2028年甚至更久,设备交付瓶颈成为产能释放的最大变量。
P5 Fab 2为什么要提前半年动工?
三星将P5 Fab 2开工时间从2027年初提前至2026年7月,结构柱安装定于2027年1月启动。
这意味着→ 三星判断AI驱动的存储需求增速远超预期,必须抢在供需缺口扩大前加速建厂。
P5 Fab 1已开工、目标2028年投产,Fab 2预计2029年运营;三星还在争取把一期设备安装从2027年三季度提前到二季度。
2026年的钱花在哪里?
三星2026年全年资本支出预计约84.4万亿韩元,其中器件解决方案部门占76.8万亿韩元。
用大白话说= 公司把绝大部分钱砸在了芯片制造上,主要流向新厂房和基础设施。
这反映出三星正以"先砸产能、再填订单"的逻辑应对这轮AI需求周期。
长期合同锁了多少产能?
三星已与10家主要客户签署多年期存储供应协议,正与另外10家洽谈,目标是到2030年将长期协议覆盖率提升至产能的60%–70%。
高带宽内存(HBM,一种专为AI芯片设计的高速堆叠存储)方面,三星2027年目标价格下的可用产能已全部售罄,主要客户仍在追加订货。
SK海力士同样锁定了14家主要客户(含全球云服务商),覆盖2027–2028年超50%的总产能,并预计供不应求将持续至2030年。
设备交付瓶颈有多严重?
ASML(全球唯一EUV光刻机供应商)表示,其2027–2028年规划产能无法完全满足客户需求。
该公司计划2027年将低NA EUV(低数值孔径极紫外光刻机,当前最先进的量产级光刻设备)及DUV浸没式光刻机产能提升30%,并研究2028年更大幅度扩产;客户已提出2029甚至2030年的设备订单意向。
这意味着→ 就算三星和SK海力士的厂房按时盖好,光刻机到不了位,产线也开不起来——设备交付周期已成为决定产能释放时间的关键卡脖子环节。
P5一期和二期各做什么?
P5一期聚焦DRAM和HBM生产,设备供应商遴选接近完成,潜在设备订单规模估计超过10万亿韩元。
二期则讨论引入先进NAND制程,交货周期被认定为决定产能启动时间的关键因素。
用大白话说= 一期先做AI最缺的高速存储,二期再补存储芯片的另一大品类——两步走的策略说明三星在产品线上也做了优先级排序。
这轮存储景气周期能持续多久?
从供给侧看,三星和SK海力士的新产能最早2028–2029年才能陆续释放,设备瓶颈可能进一步推迟时间表。
从需求侧看,三星预计AI驱动的存储需求将在2027年以远超2026年的幅度超出行业供给。
这意味着→ 供给释放慢、需求增长快,两条线至少到2028年才可能交叉——在此之前存储芯片大概率维持紧缺状态。真正的验证节点是:AI需求能否在这段窗口期内持续兑现增量。
市场有风险,内容仅供研究参考,不构成投资建议。
