三星SK海力士升级中国厂产更先进NAND芯片
nashnova research
三星与SK海力士正升级各自中国工厂，将NAND闪存芯片推向286层和240层以上，以应对长江存储扩张和AI需求——但升级能否落地，取决于美国出口许可这一悬而未决的变量。
三星西安厂要做什么？
三星西安厂约占其全球NAND产能的40%，目前生产约200层芯片。
内部代号"Monami"的改造项目，目标是切换至286层V9 NAND——这意味着→ 西安厂要追平韩国本土最先进的产线水平，而不只是维持现状。
时间表：2025年12月月产5000片晶圆起步，2027年12月爬坡至月产4万片。
三星强调此次升级"不涉及产能扩张或新建厂房"，旨在满足包括美国客户在内的全球需求。
SK海力士大连厂怎么跟进？
大连厂生产192层NAND，是SK海力士2021年收购英特尔NAND业务所得，也是旗下Solidigm品牌唯一的NAND制造基地。
计划切换至240层或更高层数产品；已获授权生产最高240层芯片。
SK海力士还可能向美国政府申请在大连开展300层以上芯片的研发——用大白话说＝ 大连厂不只是做量产升级，还想成为下一代技术的试验场，为潜在的美国本土新厂打技术底子。
Solidigm正筹备在美国进行IPO，大连厂的技术升级进度直接影响上市估值的说服力。
为什么现在必须升级？
长江存储（中国本土NAND龙头）快速扩张，正持续蚕食三星和SK海力士的市场份额。
AI数据中心对高层数NAND的需求旺盛——层数越高，单位面积存储密度越大，数据中心的存储成本越低。
这反映出一个竞争格局的变化：如果韩企在中国厂不升级，产线就会落后于长江存储，等于把中国市场的份额拱手让出。
最大的不确定性是什么？
自2022年起，美国对部分芯片制造设备实施出口管制；三星和SK海力士若需在中国工厂安装美国制造的刻蚀机（在芯片上刻出电路图案的关键设备）等，须每年申请许可证。
美国商务部工业和安全局2025年曾表示，不打算批准外资芯片厂在中国升级技术或扩大产能的许可申请，但会批准维持现有工厂运营的申请。
这意味着→ 政策口径本身就有张力——"不批升级"与"批维持运营"之间的灰色地带，恰恰是三星和SK海力士正在试探的空间。
路透社称目前无法确认美国当局已就相关设备出口许可给予何种程度的批准——这一变量悬而未决，是整件事最大的风险点。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。