三星、SK海力士加码中国NAND产能，西安大连工厂明年前投资落地
Nashnova编辑部
三星电子与SK海力士同步加速在华NAND闪存扩产，西安和大连两座工厂将在明年前完成新一轮设备投资，直接推动力是AI服务器对高端存储的需求激增——这意味着中国产线正被两大韩企重新定位为先进NAND的核心量产基地。
三星西安工厂在扩什么产？
三星已在西安X2产线启动V9 NAND转换投资。V9 NAND（采用280层级堆叠的最新一代闪存芯片）是当前最先进的NAND产品，目标月产能4万至5万片晶圆。
这次补充投资的重点是追加刻蚀工艺设备。用大白话说＝NAND要把存储单元像楼层一样叠几百层，刻蚀就是在晶圆上"打通道孔"的工序——层数越多，孔越深，对精度要求越高。
设备采购订单预计今年底前落实，补充投资明年下半年启动，整个扩产分阶段推进。
SK海力士大连工厂进展如何？
SK海力士已于今年三季度起，在大连第二工厂推进NAND产品升级的设备投资。
目标产能约月产3万片晶圆，投资将持续至明年。
这意味着→两家韩企的在华扩产节奏高度同步，中国产线被共同定位为高端NAND量产的重要支柱。
为什么现在加码？
直接动因是AI服务器等场景对高端NAND需求的快速增长。AI训练和推理都需要大容量、高速度的存储，这把先进NAND推上了供需紧张的位置。
两家企业同步扩产，这反映出行业判断一致：全球高端NAND供给缺口短期内难以靠现有产能填补。
此轮扩产能否有效补上缺口，将是衡量两家企业产能战略成效的关键验证节点。
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