长江存储布局4F² DRAM，目标速率9600 MT/s
nashnova research
中国最大NAND闪存厂商长江存储正式切入DRAM赛道，开发4F²架构芯片、目标速率9600 MT/s，但量产时间表未定，设备管制与良率验证仍是核心变量。
4F²架构是什么？为什么长江存储要走这条路？
4F²架构（一种让单个存储单元面积比传统设计缩小约三分之一的芯片布局）搭配垂直沟道晶体管（VCT，把晶体管竖起来、向上堆叠而非平铺），可以在不依赖更先进光刻机的前提下提升存储密度。
这意味着→ 对于被列入美国实体清单、难以获取尖端设备的长江存储来说，4F²是一条绕开设备瓶颈的现实路径。
但面积缩小≠成本更低或性能更强。良率、工艺复杂度、器件可靠性——这些决定商业竞争力的环节，长江存储全部尚未验证。
长江存储手上同时推进几个DRAM项目？
两个独立项目并行：4F²项目瞄准9600 MT/s，计划在武汉三厂量产；16Gb低功耗DRAM项目自2025年10月起在武汉二厂推进，目标速率7500 MT/s，月投片量约5000片。
4F²项目聚焦智能手机等移动设备的低功耗内存；16Gb项目为独立研发线，两者互不依赖。
用大白话说＝ 长江存储不是把所有鸡蛋放在一个篮子里，而是两条技术路线同时跑，看哪条先跑通。
国内谁在跟长江存储抢4F² DRAM？
长鑫存储（CXMT）计划2026年底前推出4F²技术的DDR5服务器RDIMM模组，面向服务器市场。
长江存储的4F²设计则瞄准手机等移动端低功耗内存——两家目标市场不同，但底层技术路线重叠。
目前两家公司均未证明4F²架构已具备大规模量产能力，竞争格局仍停留在研发阶段。
长江存储的NAND老本行现在什么状况？
2026年第二季度，长江存储按NAND比特出货量排名全球第三，超越铠侠和美光，仅次于三星和SK海力士（含Solidigm）。
但按NAND营收排名仍居第五。这反映出其产品结构仍以低价消费存储为主，高利润的企业级固态硬盘（eSSD）占比偏低。
eSSD正是行业增长最快的板块：2026年Q2占全球NAND比特出货量约48%，一年前仅26%，AI数据中心需求是主要推手。
IPO融资的钱打算怎么花？有没有拨给DRAM？
母公司长存控股（CCSH Corporation）2026年8月申请上海科创板上市，拟募资330亿元人民币：208亿元用于产线升级，122亿元用于研发（涵盖下一代NAND及高速存储产品）。
申请已于9月进入问询阶段，但上市尚未完成。
这意味着→ 募资用途披露中未单独列明4F² DRAM的专项资金——DRAM布局目前在融资叙事中并非主角。
这件事最终成不成，卡在哪里？
长江存储的NAND领域Xtacking技术（把存储阵列与外围电路分别做好、再通过晶圆键合拼到一起）或可为DRAM开发提供工艺参考，但DRAM在电容性能、漏电流、刷新机制等方面面临与NAND截然不同的挑战。
设备管制是最大外部变量：自2022年12月被列入实体清单以来，部分美国半导体设备和技术无法获取。
用大白话说＝ 技术路线画得出来，但能不能在受限条件下把良率做上去、再从三星和SK海力士手里抢到客户，才是这条路值不值钱的最终考试。
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