長鑫科技4F²架構取得突破，年底推DDR5伺服器記憶體

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長鑫科技在4F² DRAM架構上取得關鍵進展，計劃年底推出搭載該架構的DDR5伺服器記憶體——這是中國大陸DRAM廠商首次以自研先進架構衝擊伺服器市場，直面性能與兼容性的最高門檻。

4F²架構到底是甚麼，為何重要？

目前DRAM行業主流架構是6F²——F²是衡量單個記憶體單元面積的基本單位。這意味著→ 從6F²到4F²，同樣面積可容納更多記憶體單元，晶片存儲密度大幅提升。

簡單來說＝ 6F²好比每個格子佔6份面積，4F²把格子壓縮到只佔4份，同一塊晶圓上能裝更多數據。

這並非簡單的工藝微縮。晶體管溝道方向從水平變為垂直，整套設計和製造流程都要推倒重來，6F²時代的經驗無法直接複用。

長鑫4F²架構的核心是自研的VSG晶體管（垂直包圍柵，一種令柵極將溝道完全包住的豎立結構）。

這意味著→ 柵極對電流的控制更強，能有效解決漏電和短溝道效應兩大痛點——這兩個問題是DRAM繼續微縮的最大障礙。

長鑫自成立以來便啟動4F²研究，已公開超300件專利族，數量領先海內外廠商；分別於2021、2023、2025年發表論文，持續披露進展。

4F²架構的一個關鍵變化：把DRAM和CMOS工藝解耦（拆開分別製造），再用混合鍵合（一種令兩塊晶圓面對面直接貼合互聯的工藝）重新連接。

這反映出 DRAM技術正從二維縮放轉向三維集成——不再只靠把電路畫得更細，而是向上堆疊。

長鑫2019年起自研混合鍵合技術，專利數量已達全球前十；2025年在IEDM上發表論文，首次在12英寸晶圓平台上完成DRAM與CMOS晶圓級鍵合驗證。

長鑫把4F²架構首代產品定位為DDR5 RDIMM——這是伺服器市場的主流記憶體配置，對性能、穩定性和兼容性要求極高。

這意味著→ 長鑫沒有選擇門檻較低的消費級產品試水，而是直接以最嚴苛的場景驗證技術路線，技術驗證和量產能力將同步接受市場考驗。

年底產品能否如期亮相、後續量產良率與兼容性表現如何，是這條技術路線能否真正落地的關鍵節點。

市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。