長鑫存儲擬投340億元擴研發與測試產能

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長鑫存儲董事會批准349億元（約52億美元）雙項目投資，上市不足三個月即大舉擴張研發設備與自建測試產能，這意味著→ 公司正將IPO超募資金快速轉化為產能競賽籌碼。

349億花在哪裡？

兩個項目拆開看：241億元用於技術研發，108億元用於後端測試基地二期，均需股東大會通過。

研發項目落在合肥12英寸晶圓基地，建設周期約兩年半；當中設備採購佔93%（約224億元）。這意味著→ 這筆錢幾乎全部用來買設備，不是蓋廠房，核心目的是推進下一代DRAM工藝。

測試基地二期由子公司營運，建設周期約三年，將新建DRAM晶片測試及模組封裝工廠，設備採購及安裝費約81.8億元。

長鑫存儲IPO淨募資663.1億元，比原計劃多了約368億元——今次擬從超募部分撥出180億元（130億研發+50億測試），接近超募資金的一半。

簡單來說＝上市才不到三個月，超募的錢已規劃花掉將近一半，節奏非常之快。

剩餘資金缺口需靠經營現金流及其他渠道補足，上半年經營現金流達1,311.6億元（按年增長約31倍），DRAM上行周期帶來的盈利改善是最大底氣。

合肥一期、合肥二期及北京產線建設進度均達96%–98%，接近收尾。

截至6月末，已簽合同承諾餘額524.4億元，較2025年末的171.3億元增長206.2%——在手合同規模三倍增長。

設備及工程預付款較2025年末增長234.4%至約40億元。這意味著→ 大量設備訂單已下但尚未到貨，後續資本開支仍會持續釋放。

長鑫存儲給出的理由：隨著產品品類擴大和出貨量提升，外部封測產能未必跟得上節奏。

自建測試產能的好處是三重的：掌控測試排期 + 降低成本 + 強化供應鏈安全。

這反映出中國DRAM廠商在外部封測資源受限的環境下，正加速向「製造+封測」一體化方向走。

三星電子高管金泰宇9月29日表示，預計到2027年HBM將佔DRAM廠商晶圓總產能的近30%，高於目前約20%。

HBM（高頻寬記憶體，專為AI晶片配套的高速記憶體）與標準DRAM共用同一條晶圓產線。這意味著→ HBM多吃一口產能，留給主流DRAM的就少一口，供給天然偏緊。

長鑫存儲目前專注主流DRAM，上半年收入結構：LPDDR佔52.0%，DDR佔46.2%，與主要客戶的長期供貨協議談判同步推進。

第五代DRAM技術平台G5已於今年9月進入量產，兩款24Gb LPDDR5X產品同步量產。

關鍵指標：G5在歸一化至8Gb密度時，每片晶圓的良品晶片數量較第四代提升至少50%。

簡單來說＝同一片晶圓，用新工藝能多切出至少一半的合格晶片——直接拉低單位成本、提高產能利用率，這是市場評估長鑫存儲競爭力的核心觀測指標。

市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。