长鑫存储 DDR5 突破量产，中国模组厂商加速扩产

中国主要内存模块供应商 Power 近日表示，搭载长鑫存储 DDR5 芯片的 64GB DDR5-5600 RDIMM 服务器模块已通过多项测试，并具备批量供货条件，面向企业客户、渠道合作伙伴及品牌客户交货 。该公司还推出了基于长鑫存储技术的 Sinker DDR5 内存模块，支持包括 Lenovo 在内的多个主流 OEM 合作伙伴，并面向工业和企业应用场景 。

独立半导体研究机构 TechInsights 通过对 Gloway DDR5 UDIMM 模块的拆解分析，证实长鑫存储的技术突破达到了中国市场前所未见的先进制程水平 。长鑫存储最新 DDR5 产品支持最高 8,000 Mbps 传输速率，覆盖数据中心服务器、桌面工作站及高性能个人电脑等多个细分市场 。

24GB 密度的长鑫存储芯片虽落后于三星、SK 海力士最先进产品约一代，但业界分析人士认为，这一进展对中国本土 DRAM 产业具有重要的里程碑意义 。

长鑫存储已向上交所提交科创板上市申请，计划募集约295亿元人民币（约合41亿美元），所募资金将主要用于扩大 DRAM 产能 。公司2025年前三季度营收同比增长约90%，达到130.8亿元人民币，净亏损收窄至59.8亿元，显示商业化加速态势明显 。

全球 DRAM 供应持续偏紧为中国供应商开辟了战略性市场窗口。海外内存价格攀升叠加国内下游客户对供应链安全的迫切需求，正驱动中国服务器、PC及存储设备制造商加快引入长鑫存储产品，中国商务证券研究报告将当前 DRAM 市场定性为"AI驱动的结构性超级周期" 。

与此同时，三星、SK 海力士及美光的市场份额合计仍超过90% ，长鑫存储的规模化突破对三者构成长期竞争压力。据悉，长鑫存储已将 HBM3（高带宽内存）列为下一战略目标，计划于2026年底前实现量产，直接切入 AI 加速器芯片核心市场 。