花旗上调美光目标价至1200美元，Q3每股收益同比增速预期达1092%
Miles Bennett
花旗将美光目标价从840美元上调43%至1200美元，核心逻辑是内存价格超预期走强推动盈利爆发。这意味着→ 花旗认为内存超级周期远未结束，美光正处于利润率急速扩张的窗口期。
目标价一口气上调43%，花旗到底看到了什么？
花旗6月17日将美光（MU.US）目标价从840美元上调至1200美元，维持买入评级。
核心依据只有一个：DRAM与NAND价格涨幅远超此前预期，内存超级周期仍在延续。
截至6月19日收盘美光报1133美元，新目标价隐含约6%上行空间。这意味着→ 花旗认为当前价格仍未充分反映内存涨价对盈利的拉动。
盈利预测上调了多少，1092%的增速怎么来的？
花旗将美光2026财年和2027财年每股收益预测分别上调4%和10%，其中2027财年EPS预测114.73美元，比市场一致预期高约4%。
近期季度同步上调：2026财年Q3营收和EPS预测上调6%，Q4上调5%。
Q3每股收益同比增速预期从1025%进一步上调至1092%。用大白话说＝ 去年同期美光每股只赚几美元，今年同期预计赚几十美元，倍数才会这么夸张。
毛利率从40%飙到83%，靠什么？
花旗预计美光毛利率将从2025财年的39.8%扩张至2026财年76.9%，2027财年进一步升至82.9%。
这反映出内存行业的高度杠杆特征：产品本身制造成本变化不大，价格一涨，多出来的部分几乎全是利润。
营收预测同样大幅上修：2026财年1150亿美元，2027财年增至1975亿美元。
现货价格已经涨了52%，合约价还能继续涨？
DRAM现货价格自今年1月以来累计上涨52%，4月以来涨幅22%，现货较合约价溢价21%。
这意味着→ 现货市场已经提前反映了供需紧张，合约价格通常会跟随补涨，溢价就是"还没涨完"的信号。
花旗预计DRAM均价在2026年Q2至Q4将分别环比上涨37%、13%、11%；NAND同期涨幅预计45%、17%、6%。
全年看，花旗预计2026年DRAM均价涨200%，NAND涨186%，涨势料延续至2027年。
供给缺口有多大，HBM为什么是下一个催化剂？
花旗预计2026年全球DRAM市场供给缺口约5%，且供需失衡将延续至2027年。
今年DRAM涨价主要集中在普通商用DRAM，而非HBM（高带宽内存，专为AI芯片设计的高速内存）。这意味着→ HBM涨价周期还没真正启动，明年提价将成为新的利润驱动力。
TrendForce预测2026年DRAM行业整体产出增速约30%，美光自身增速预计42%。
花旗还指出DRAM持续短缺正加速NAND替代方案的采用，例如KV缓存卸载（把部分数据从稀缺的DRAM转存到NAND上），利好纯NAND标的及半导体设备股。
目标价只给了10倍PE，为什么这么"保守"？
花旗将目标价设定于修正后2027日历年EPS的10倍，远低于美光历史三年峰值估值的17倍。
用大白话说＝ 花旗一边大幅上调盈利预测，一边刻意压低估值倍数，留出了"利润率从高位回落"的安全垫。
近期Vera Rubin平台（英伟达下一代AI平台）因DRAM供给不足出现降规格现象，增加了供给端不确定性。
投资者核心关注点：美光6月24日发布Q3业绩时，管理层对长期供货协议（LTA）签署进展及供需展望的最新表态——花旗认为戴尔已完成签约。
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