花旗调研：AI材料瓶颈向上游扩散，日企定价保守成核心矛盾
Alina Collins
花旗一手调研六家日本材料龙头后发现，AI硬件瓶颈已从芯片扩散至玻纤布、InP基板、铜箔等上游材料，但日企定价过于保守，技术价值谁来兑现成为核心矛盾。
瓶颈到底扩散到了哪里？
AI服务器、光通信、先进封装三条链同时拉动上游，玻纤布、覆铜板（CCL）、低介电树脂、InP基板、铜箔、钽粉等环节均已感受到增量需求。
这意味着→ 瓶颈不再只卡在芯片和算力层面，而是沿着硬件链条逐级上移到了原材料端。
花旗调研覆盖三菱瓦斯化学、日东纺、JX金属、AGC、旭化成、三井金属六家企业的业务部门及管理层，结论方向一致。
日企手握技术壁垒，为什么利润还是弹性不足？
核心矛盾：供需已经紧张、产品处于AI链条关键位置，但日企价格策略仍偏保守，只做"温和转嫁成本"。
用大白话说＝ 东西供不应求、客户离不开你，你却不敢涨价——利润弹性就被自己压住了。
花旗的判断是：日企能否从"技术供应商"转变为"主动定价者"，将决定技术价值最终由谁来兑现。
玻纤布：谁在垄断最紧缺的品种？
花旗给出的紧缺排序：T玻璃（低热膨胀）> NER玻璃（第二代低介电）> NE玻璃（第一代低介电）。
T玻璃地位最特殊——报告认为"基本只有日东纺能够供应"，公司面临追加扩产并重新谈判价格的压力。
NER玻璃出现意外：树脂技术进步使部分应用无需升级至第三代NEZ，NER目标市场规模反而可能明显扩大。
旭化成正在推进第二代低介电纱线扩产，低热膨胀类型已开始样品出货，预计2027年3月末至2028年3月启动量产。
InP基板：JX金属为什么敢扩产10倍？
JX金属宣布到2031年3月期前，将InP基板（磷化铟基板，光通信核心材料）产能最高扩大10倍，需求增速预期从约25%上修至30%–40%以上。
逻辑在于光互连的渗透路径：2026年主要用于机柜间和数据中心间；2028年后有望延伸至服务器内、机柜内，电→光迁移持续拉动需求。
花旗指出实际需求超过10倍扩产上限也不奇怪，但累计约1450亿日元的投资回收压力，使价格谈判策略变得更为关键。
JX金属在AI数据中心材料图谱中还占据靶材、前驱体、光刻材料、钽粉、钛铜等多个位置。
先进封装升级，拉动了哪些材料？
旭化成旗下Pimel是RDL（再布线层，先进封装中连接芯片与基板的关键布线层）核心材料，在主要客户最先进产品中份额极高，供给已跟不上需求，正提前扩产。
随着CoWoS封装从CoWoS-S向CoWoS-R、CoWoS-L演进，层数增加，RDL材料需求将同步放大。
三井金属方面，光收发器PCB需求快速扩大，成为Micro Thin铜箔新增量来源；HVLP5产品份额约80%，对应高频高速信号传输场景的材料升级。
低损耗树脂竞赛走到哪一步了？
三菱瓦斯化学BT材料新等级RS在FC-BGA、GPU方向获得客户评价，进展良好；Low CTE玻璃供需紧张反而为RS材料打开了被重新评估的窗口。
AGC的CCL产品METEORWAVE最新ELL系列正在1.6T交换机和路由器方向推进评价，同时开发低介电氟树脂，有望解决PTFE多层化时的层间接着难题。
花旗对PTFE持审慎态度：刚性不足、层间接着困难、CTE性能不佳等问题尚未根本解决，PTFE更像是"材料复合化升级"问题，而非单靠本体性能即可大规模替代现有体系。
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