长鑫存储测试键合DRAM产线，中韩差距缩至约三年
Miles Bennett
长鑫存储正在合肥秘密测试键合DRAM研发产线，目标是绕开EUV限制、用旧设备实现高性能存储量产——中韩DRAM技术差距已从约五年压缩至约三年，速度远超行业预期。
键合DRAM到底是什么，为什么能绕开EUV？
键合DRAM（Bonded DRAM）把存储单元和外围电路分别做在两片晶圆上，再垂直粘合到一起。用大白话说＝普通DRAM是一张纸上又写字又画电路，键合DRAM是两张纸各画各的、最后贴在一起。
这意味着→ 每一层只需要精度较低的DUV光刻（深紫外光刻，现有旧设备即可完成）多重曝光，不需要被制裁封锁的EUV设备。
三星以"B1b"项目、SK海力士也在跟进同类方案，但韩国媒体援引业界评估称，长鑫存储在技术本身和推进速度上可能已领先两家韩企。
中韩差距是怎么从五年压缩到三年的？
两年前长鑫存储（DRAM）和长江存储（NAND）还在亏损、只能做低端芯片；如今韩媒用"戏剧性转变"来形容追赶速度。
这意味着→ 美国出口管制封住了EUV设备，反而逼出了一条不依赖EUV的技术路径，追赶速度"远超预期"。
市场份额上，长鑫存储2026年一季度全球DRAM市占率已升至8%，并据报正被苹果列为潜在新供应商。
HBM和"后HBM"方向，长鑫走到哪了？
长鑫已将约20%产线转向HBM3/HBM3E（高带宽存储，AI芯片必需的高速"显存"）研发，同样用DUV多重图案化工艺绕开EUV。
同时与澜起科技合作，推进基于CXL协议（一种让CPU和存储之间高速对话的新接口标准）的"后HBM"存储方向。
这意味着→ 长鑫不只追当下的HBM，还在押注下一代互联存储，借DDR5研发经验提前卡位。
长江存储的专利优势有多大？
长江存储的"Xtacking"晶圆键合架构是全球首个商业化的同类技术，已从160层扩展至最新270层量产。
核心专利对比（2023年数据）：长江存储119项 / 三星83项 / SK海力士仅11项。
韩媒称三星已就其下一代NAND路线图向长江存储授权相关专利。这反映出在这一细分领域，专利话语权已开始向中国倾斜。
韩国学界怎么看这件事？
首尔大学教授黄哲成称中国半导体是"韩国最大的未来威胁"，警告一旦华为等中国AI芯片厂商大规模采用国产存储，良率与可靠性的提升速度可能快于预期。
另有学者指出，韩国必须在美国制裁创造的"黄金窗口期"关闭前，在下一代存储与封装技术上建立不可逾越的领先。
用大白话说＝制裁给韩国争取了时间，但这扇窗正在关上——如果不抓紧拉开代际差距，追赶者会在窗口关闭前赶到。
上市和量产，接下来看什么？
长鑫存储与长江存储均在推进上市计划，长鑫最快本月在上海证券交易所挂牌，以拓宽政府补贴之外的资金来源。
键合DRAM产线测试能否如期推进至量产，是检验这轮技术追赶能否持续的关键节点。
这意味着→ 资本市场的钱能不能跟上、实验室成果能不能上产线，将决定"三年差距"是继续缩小还是停在原地。
Content is for reference only, not financial advice.