美光高管：自由现金流将再创新高，内存供应紧张延续至2026年以后

美光科技全球运营执行副总裁 Manish Bhatia 与投资者关系高级总监 Samir Patodia 周三出席摩根大通第54届年度TMC大会，给出了自3月财报电话会以来最为明确的积极信号：第三财季自由现金流有望再度大幅创历史新高，资产负债表处于有史以来最强状态，三大评级机构今年均已上调美光评级。

需求端的超预期是这轮上修的核心驱动。管理层指出，智能体AI与机器间工作负载正推动推理需求在客户总需求中占比持续走高，内存被日益定位为战略性资产——更高性能、更大容量的内存可直接提升AI模型整体表现。

供给端则受到两项结构性因素的同步压制：DRAM和NAND的制程迁移所带来的每节点比特增益持续下降；HBM每比特所需晶圆数量超过标准DRAM的3倍，且这一折算比率在HBM3E→HBM4→HBM4E的迭代中持续走阔。管理层明确表示，HBM、DRAM及NAND的供应紧张局面预计将延续至2026年以后。

产能扩张方面，多个项目进度超出预期。台湾铜锣厂区收购已提前完成，改造后晶圆厂预计2027年下半年投产先进DRAM，相邻的双联厂将于今年夏季动工，两厂与台中现有产能合并后将形成超级集群。

爱达荷州Idaho 1的投产时间已从2027年下半年提前至年中，Idaho 2预计2028年底出片；纽约州建设进度超前，主体混凝土浇筑将于今年晚些时候启动；新加坡HBM工厂预计2027年形成产能。

技术执行上，HBM4量产爬坡速度是HBM3E去年同期的2倍，良率提升也更快。

HBM4E计划2027年量产，首款产品将是基于1-gamma DRAM、采用台积电逻辑芯片的JEDEC标准规格，后续面向高价值客户提供定制方案。1-gamma DRAM与G9 NAND均有望于2026年年中成为各自产品线的主要比特产出节点，爬坡速度均快于前代。

数据中心SSD市场份额方面，美光已从2022年的5%至7%升至目前约15%，跻身全球第三。Gen 6 9650率先于业界取得量产资质并通过英伟达STX平台认证。

战略客户协议进展同样值得关注：自3月公告首份5年期DRAM长约以来，目前已有多家新客户处于积极洽谈阶段，且协议覆盖范围已明确延伸至NAND产品——在NAND供应同样趋紧的背景下，这被管理层视为额外的积极信号。