美光2035年美国投资额升至2500亿美元
Miles Bennett
美光将2035年前美国投资总额上调至逾2500亿美元，纽约新厂同日浇筑首批混凝土；存储芯片价格暴涨叠加《芯片法案》补贴，正把这笔投资从政治表态变成有利可图的产能竞赛。
2500亿美元到底要建什么？
纽约州克莱市规划最多四座晶圆厂，被称为该州史上最大私人投资，预计创造5万个就业岗位，美光直接雇用9000人。
首批混凝土浇筑较原计划提前逾四分之一完成，美光已向纽约当地承包商和供应商累计支付约6.75亿美元。
除纽约外，爱达荷州项目预计2027年中期产出首批晶圆，弗吉尼亚州工厂已开始为汽车、工业及国防客户小批量生产。
钱从哪来——为什么现在敢加码？
存储芯片价格大幅上涨：过去一年韩国DRAM出口价格暴涨497%，闪存及HBM（高带宽内存，专为AI芯片配套的高速存储）价格翻倍甚至三倍。
美光季度营收同比增至239亿美元，HBM需求是主要驱动力；管理层已将2026财年资本支出上调50亿美元至逾250亿美元。
这意味着→ 美光把周期红利、61亿美元《芯片法案》补贴和关税保护三层叠在一起，形成韩国对手难以完全复制的成本结构。
韩国对手还领先多少？
在最高价值的HBM细分市场，SK海力士凭借对英伟达AI加速器的供应，2025年首次在年度营业利润上超越三星电子。
三星和SK海力士合计控制全球DRAM市场约三分之二份额，与美光是全球仅有的三家HBM制造商。
用大白话说＝ 美光在通用存储芯片上体量够大，但在利润最丰厚的HBM赛道，仍是三家里的追赶者。
中国变量会怎样改变格局？
苹果已开始测试中国国家支持的长鑫存储（CXMT）DRAM，用于在中国销售的设备；分析机构SemiAnalysis预计长鑫存储全球DRAM份额将从2024年的约11%升至2028年的15%。
长鑫存储还计划在上海上市，拟募资不低于295亿元人民币，为产能扩张提供弹药。
这反映出一个更深层的风险：分析人士警告，长鑫存储的扩张路径可能重演光伏和电动车行业的剧本——先冲产能、再压全球价格。
这场三方竞争的两个关键看点是什么？
美光能否凭借本土化布局，在HBM竞争中缩小与韩国对手的差距——目前SK海力士和三星仍占主导。
华盛顿对长鑫存储的政策走向：美国商务部长卢特尼克在奠基仪式上公开喊话，希望三星和SK海力士进一步扩大在美产能。
用大白话说＝ 美光砸重金建厂是第一步，但真正决定胜负的是：HBM技术能不能追上，以及华盛顿会不会对中国产能踩刹车。
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