大摩科技闭门会：AI硬件链从GPU扩散至存储、MLCC与钽电容
Miles Bennett
摩根士丹利闭门会判断，AI硬件需求已从GPU传导至存储、CPO、MLCC与钽电容，行情主线正从「需求故事」转向「涨价兑现」，五个验证节点将决定本轮行情能否落地为业绩。
存储涨了一大波又回调——是见顶了吗？
大摩认为Computex后的回调属于「健康重置」，不是基本面见顶——部分存储股自3月低点已涨70%至130%以上，获利了结和ETF去杠杆带来短期波动。
但底层需求没有放缓：AI推理与Agentic AI（让AI自主执行多步任务的新范式）对存储的消耗仍在加速。
这意味着→ 回调是资金在消化涨幅，不是行业逻辑出了问题。
DRAM和HBM的涨价幅度到底有多大？
短期看，大摩预计Q3 DRAM合约价环比涨10%–20%，NAND涨20%–30%。
更关键的是HBM（高带宽存储，专供AI芯片的超快内存）：正在进入LTA（长期协议）重新定价阶段，2027年HBM价格同比可能涨50%–100%。
用大白话说＝ 大客户锁定长期合同 → 价格不再随季度波动 → 存储厂盈利确定性大幅提高。
这反映出估值逻辑正在重置：如果LTA覆盖50%–70%以上供应量，DRAM股估值有望从过去周期顶部常见的5倍PE升至8–10倍。
DDR4这种"老产品"为什么反而在涨价？
大摩将Q3 DDR4涨价预期上修至20%–30%，乐观情形甚至达30%–50%，远超此前市场预期。
原因很直接：存储厂把产能优先给了HBM等先进产品，DDR4的边际供给被持续挤压；南亚科新产能预计要到2027年下半年才能释放。
这意味着→ DDR4价格强势可能延续到2027年——不是因为需求爆发，而是因为没人愿意给它分产能。
CPO最近跌了不少——光互连的逻辑还在吗？
CPO（共封装光学，把光模块直接做进芯片封装里）近期走弱，核心原因是良率跟不上预期：台积电PIC月产能目前约500片晶圆，目标2027年Q1提升至10,000片，但后段封装良率仅50%–60%，整机组装良率更低至20%–50%。
用大白话说＝ 设计方向没问题，但"造出来"这一步还在爬坡，短期出货量会低于预期。
大摩判断：长期架构逻辑未被破坏——2028年后越来越多架构需要光互连突破铜互连的物理极限，良率是工程问题，不改变方向。
MLCC和钽电容——AI服务器怎么连被动元件都带火了？
MLCC（多层陶瓷电容，电路板上最基础的储能元件）方面：国巨披露标准品产能利用率超75%、特规品超85%，均超此前指引；分销商库存从5.5个月降至4.8个月，AI服务器正在大量消耗库存。
关键不是"用得多了"，而是"用得贵了"：从B200到GB200平台，MLCC美元价值量预计增长182%，其中47μF以上高容值规格需求增长210%——高阶料号占比上升才是价值量提升的核心。
钽电容方面，国巨自2025年4月以来已提价三次，上游五氧化二钽价格自2025年底涨超100%；大摩预计2026年下半年NVIDIA及ASIC服务器放量后，可能启动新一轮提价。
后面盯什么？五个验证节点一张表
节点一：Q3 DRAM/NAND合约价能否按预期上修。
节点二：HBM长期协议覆盖比例与2027年价格能否兑现。
节点三：CPO后段良率是否从20%–50%区间持续改善。
节点四：国巨等MLCC厂商产能利用率是否继续提升、渠道库存是否继续下降。
这意味着→ 这五个节点的兑现节奏，将决定本轮AI硬件材料行情能否从叙事走向业绩验证。
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