英伟达已认证SK海力士、三星和美光为HBM4供应商
Claire Weston
英伟达CEO黄仁勋确认SK海力士、三星、美光三家均已通过HBM4认证并进入量产，三大厂商的竞争焦点正从「拿到资格」转向封装散热与低功耗设计。
三家全过认证，意味着什么？
黄仁勋在首尔对记者表示，三家供应商均已通过认证、进入生产，并在竞速支持Vera Rubin（英伟达下一代AI芯片平台）。
这意味着→ HBM4不再是"谁能拿到资格"的淘汰赛，而是三家同时起跑的量产效率赛。
SK海力士、三星、美光合计主导全球计算用存储芯片市场，三方同时获批在英伟达供应链中极为少见。
下一轮比什么——为什么散热突然变成核心问题？
新一代AI芯片单颗功耗逼近1000瓦，HBM堆叠层数向约20层演进，热管理已从系统级问题变成封装设计的核心瓶颈。
用大白话说＝ 芯片越叠越高、越来越热，如果封装里散不了热，性能和可靠性都会打折扣。
英伟达、AMD等厂商正要求HBM供应商强化热控与低功耗设计能力，这直接推动了三家各自的技术路线分化。
三星的方案——在芯片内部开辟专用"散热通道"？
三星在COMPUTEX上展示了HPB（Heat Path Block）技术，核心思路是在HBM结构内部构建额外的热传导通道。
重点针对D2D PHY（die-to-die物理层，芯片之间传信号的接口电路）——这是基底芯片上最主要的热源区域。
三星DS首席技术官Song Jae-hyuk称，HPB已在HBM4E中落地验证，通过在芯片上方放置铜质结构构建散热路径，热阻最高可降低16%。
这反映出三星的策略是让散热结构融入整体存储堆叠设计，而不是只做一个顶层散热附件。
SK海力士的方案——把冷却元件直接塞进封装里？
SK海力士5月下旬发布iHBM方案，将冷却元件直接集成在HBM封装内部，计划用于包括HBM5在内的下一代产品。
其核心部件ICEs是一种导热性好但电绝缘的硅基材料，被放置在HBM堆叠与GPU之间的D2D PHY区域，可在封装内部形成额外散热路径，热阻降低30%。
在量产可行性上，iHBM建立在晶圆级封装工艺和已验证的MR-MUF技术之上，SK海力士称这一组合可支撑稳定的大批量生产。
美光走了一条不同的路？
美光没有把主线放在封装内散热路径上，而是选择低功耗HBM设计 + TSV沟槽冷却的差异化方案。
用大白话说＝ 三星和SK海力士是"加散热器"，美光的思路是"先少产热，再用特殊通道把热导走"。
据技术分析平台PatSnap，美光2025年在美国获批的专利描述了一种电气无源冷却TSV（硅通孔，贯穿芯片的垂直导热柱）结构：TSV只承担热传导功能，与信号TSV在同一封装面积内对齐排布，不额外占用芯片面积，与电气TSV网络并联形成低阻垂直热路径。
三条路线，谁更有优势？
三星HPB主打热阻降16%，已在HBM4E验证，优势是技术成熟度领先。
SK海力士iHBM主打热阻降30%，数字更高，但量产节奏要看HBM5落地进度。
美光走低功耗路线，差异化明显，但专利刚获批，离大规模量产验证还有距离。
这意味着→ 短期看散热指标，中期看量产良率和成本，最终胜负取决于谁能在英伟达Vera Rubin平台量产窗口内稳定交付。
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