三星推进1d DRAM研发 2027年底目标试产
Alina Collins
三星电子联合多家设备商开发第七代1d DRAM制程，目标2027年底启动初步量产；该制程是其下一代AI高带宽内存HBM5E的核心基础，量产节奏将直接决定三星在AI存储赛道的卡位窗口。
1d DRAM是什么，比现在的技术强在哪？
1d DRAM（第七代10纳米级DRAM，电路线宽缩小到约10至11纳米）是三星目前最前沿的内存制程项目。
上一代1c DRAM线宽约11至12纳米；1d再往下缩一步，单位面积塞进更多电路。
这意味着→ 更小的线宽带来更高性能和更低功耗，这正是AI计算场景对内存最核心的两个要求。
量产时间表到底怎么排的？
三星计划最早2027年Q2完成设备安装，2027年底前启动初步量产。
三星已完成内部预生产评估和早期样品制造，但多数业内人士认为2027年底才是更现实的节点。
用大白话说＝ 芯片本身三星已经做出了样品，但造它的机器还没造好——若干关键设备仍在开发中，这才是卡进度的真正瓶颈。
为什么设备成了最大变量？
1d DRAM所需的部分关键制造设备目前仍处于开发阶段，三星正与多家合作伙伴联合推进。
尽管有观点认为量产可提前到2026年，业内普遍持保留态度——设备没到位，产线就开不起来。
据报道，三星1d DRAM的整体路线图最早2026年底才能定稿，这意味着→ 在那之前，时间表仍有调整空间。
这跟AI存储大战有什么关系？
三星计划用1d DRAM作为第九代高带宽内存HBM5E（一种专为AI芯片设计的超高速堆叠内存）的核心裸片。
HBM5E预计2029年前后商业量产；1d DRAM是它的上游基础——底层制程不就位，HBM5E就无从谈起。
这反映出一个更大的逻辑：AI存储的竞争已经前移到制程设备层，谁先把1d产线跑通，谁就拿到下一轮卡位的入场券。
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