三星SK海力士推迟HBM混合键合导入
Claire Weston
三星与SK海力士双双推迟混合键合在HBM上的导入节点，最早或延至第七代HBM4E甚至更晚。这意味着现有TC键合工艺生命周期延长，围绕混合键合的设备与材料资本开支节奏将整体后移。
混合键合为什么被推迟了？
两家公司原计划在HBM4（第六代）引入混合键合（一种不用凸点、直接用铜线把芯片层连起来的工艺），但最终仍沿用了传统TC键合（热压键合，靠加热把凸点焊料熔化来连接各层）。
混合键合的导入节点被推迟至16层HBM4E（第七代），部分业内人士认为实际时间可能还要更晚。
这意味着→ 围绕混合键合布局的设备商和材料商，收入兑现窗口被整体拉长，短期资本开支节奏需要重新评估。
厚度标准放宽——TC键合为什么还能接着用？
HBM行业厚度标准正逐步放宽：HBM3E为720微米，HBM4已上调至775微米；JEDEC（国际半导体标准化机构）正讨论将20层HBM5的上限从900微米放宽至约1000微米。
用大白话说＝ 厚度天花板抬高了，层与层之间的间距不必压到极限，TC键合的凸点结构还装得下，技术压力就没那么大了。
与此同时，英伟达等核心客户对高堆叠HBM的需求时间表也在后移。业内人士称：即便在HBM4E中，12层产品也很可能继续占主导，16层的讨论并不活跃。
散热问题不靠混合键合也能解决？
混合键合的另一大卖点是改善散热，但两家公司已各自开发了替代方案：三星推出HPB（热路径模块），SK海力士推出iHBM（ICE HBM），目前均在针对HBM5进行测试。
封装行业人士表示，在HBM芯片旁配置散热器件技术难度不大，商业化不存在障碍。
这反映出混合键合在散热维度的"不可替代性"已被削弱，存储器公司有了更稳妥的过渡路径。
混合键合最终还会来吗——什么才是真正的触发点？
HBM4已将I/O数量从HBM3E的1024个翻倍至2048个。TC键合在凸点熔化时会横向扩散，被认为难以支撑更高密度的I/O。
业界正在讨论从HBM5E起将I/O再翻倍至4096个，届时I/O间距极为紧密，混合键合将成为必要选项。
用大白话说＝ 混合键合不是被放弃，而是被推迟——它的真正商用窗口，取决于I/O密度何时逼到TC键合的物理极限。在那之前，老工艺还能再撑几代。
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