三星华城NAND产线转DRAM，通用DRAM产能年底增约15%
Alina Collins
三星电子将韩国华城园区一条旧NAND产线改造为DRAM后段工序线，预计到2026年底通用DRAM产能提升约15%——这是一次用存量设施换增量产能的效率重组。
哪条产线被改造了？
华城园区一期12号产线，此前量产2D NAND闪存。三星于2025年下半年启动转换，2026年7月完工。
改造后，12号产线将承接15号产线的后段金属布线工序。15号产线目前以1b及1c制程量产先进DRAM。
这意味着→ 三星并非新建厂房，而是把一条"过时"的NAND线重新定位，嫁接到最先进的DRAM生产链上。
为什么要把前段和后段搬到一起？
此前流程是：华城主厂完成芯片前段制造，再跨城转运至天安工厂做后段加工——物流环节多、周期长。
整合后，DRAM前段与后段工序集中在同一个华城园区，减少搬运，缩短生产周期。
用大白话说＝ 原来"做一半、打包、运到另一个城市再做另一半"，现在改成"在同一栋楼里一次做完"。
腾出来的空间怎么用？
12号产线转型前月产能约10万片2D NAND晶圆，这些产能退出后释放了物理空间。
三星还计划将分散在华城二期及天安园区的后段设备集中迁入华城一期，利用腾出的空间增设更多产线。
这反映出三星正在做一轮"产线地理整合"：不是简单扩产，而是把分散资源收拢到核心园区，提高单一厂区的产出密度。
15%的产能增幅意味着什么？
据业内消息人士预计，到2026年底三星通用DRAM产能将提升约15%。
这意味着→ 增量并非来自全新晶圆厂投产，而是来自存量设施的重新分配——资本开支压力远小于新建。
年底产能目标能否如期兑现，将是验证本轮产线整合实际效果的关键节点。
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