三星放缓1d DRAM及第十代NAND投资，现有产线高利润率压低换代紧迫性
Miles Bennett
三星推迟1d DRAM和第十代NAND投资，核心原因是内存价格大涨令现有产线利润充裕，抢跑良率未稳的新节点反而会拖累盈利——整个存储行业正从「追新」转向「榨旧」。
为什么三星不急着上1d DRAM？
1d DRAM（第七代10纳米级DRAM节点）投资目前仅维持在试验线水平，最早2026年底至2027年上半年才推进。
关键设备仍在研发中，多家供应商目标交付时间为2027年二季度，实际初始量产最早要到2027年底。
这意味着→ 从试验到量产至少还有一年半窗口，三星并不打算抢跑。
知情人士的原话很直白：历史上节点切换多发生在行业下行期，但当前内存价格极高，现有产线已能产生充足利润，换代紧迫性大幅降低。
1c DRAM锁定HBM5，对1d意味着什么？
三星已决定在HBM5产品中沿用1c DRAM（第六代10纳米级节点），5月底已向主要客户送样12层HBM4E。
用大白话说＝ 1c既是当下量产主力，又是近期高端产品的基础，三星没有理由在它还能赚钱时急着换代。
这意味着→ 1d DRAM的定位从「下一站」变成了「再下一站」，时间表被1c的生命周期拉长了。
第十代NAND为什么更难推？
第十代NAND投资自去年下半年起已多次推迟，核心障碍是工艺本身变贵了。
从第十代起，三星计划引入晶圆键合（将存储单元和外围电路分别做在两片晶圆上再接合）——每颗成品芯片要消耗两片晶圆，还要增加额外制造步骤，单位成本显著上升。
用大白话说＝ 以前一片晶圆出一颗芯片，以后两片才出一颗，成本直接翻倍式增长。
而三星在第九代NAND上以单晶圆方案做到了286层堆叠，层数领先竞争对手，且不用承担晶圆键合的额外成本——现有优势还在，主动吃更高成本的动力就更小了。
竞争对手已经用了晶圆键合，三星为什么还能等？
长江存储（Xtacking品牌）和铠侠（CBA架构）均已商业化晶圆键合技术。
但三星的第九代NAND在单晶圆架构下层数领先，这意味着→ 它暂时不需要为追层数而被迫切换到更贵的工艺。
设备行业消息人士明确表示：当前投资优先级明显向DRAM倾斜，NAND居后。
不只三星——整个行业都在「榨旧」？
SK海力士同样受限于洁净室产能，预计将近期资本开支集中于扩大1c DRAM产出，支撑其HBM4E项目。
苹果CEO蒂姆·库克在今年1月财报电话会上表示，公司正面临内存价格显著上涨的压力。
这反映出 AI基础设施建设热潮将产能向高带宽内存倾斜，进一步收紧常规芯片供给。三星已表示2026年和2027年产能扩张均将保持克制。
这套策略的边界在哪里？
逻辑很清晰：价格周期足够强时，次世代节点的切换成本反而成为负担，厂商宁可在已知良率的成熟节点上最大化产出。
用大白话说＝ 能赚钱的时候先赚够，新技术等价格跌了再上。
但这个策略有时间窗口——1d DRAM量产时间表能否在2027年底前兑现，将是检验这套「榨旧」逻辑何时触顶的关键节点。
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