三星发布400层BV-NAND，存储密度提升58%
Miles Bennett
三星在FMS大会上发布超400层堆叠的第十代V-NAND原型芯片BV-NAND，存储密度较上一代提升约58%。这意味着→ AI数据中心对大容量、低功耗闪存的需求正在重塑存储芯片的技术路线。
BV-NAND到底是什么？
BV-NAND（V10 Bonding V-NAND）是三星第十代堆叠闪存原型芯片，层数突破400层，采用全新的晶圆键合架构（把两片晶圆直接对贴在一起的工艺）。
相较上一代V9 NAND，存储密度提升约58%，读写及输入/输出性能同步改善。
用大白话说＝ 同样大小的芯片，能装下比以前多近六成的数据，同时读写速度也更快。
晶圆键合为什么是核心技术？
三星表示，晶圆键合技术可将能效提升至传统方案的3倍，同时热阻降低超过50%。
这意味着→ 芯片堆得更高，但发热更少、耗电更低——这正是数据中心最在意的两个指标。
背后的逻辑：AI推理工作负载（即大模型响应用户提问的生成过程）快速扩张，数据中心急需容量更大、功耗更低的NAND闪存，BV-NAND正是对准这一方向。
zHBM和zNAND-O又是什么概念？
三星同时展示了zHBM与zNAND-O概念模型，定义为行业首创。
传统HBM（高带宽内存）把存储芯片放在AI处理器旁边；zHBM则把存储单元垂直堆叠在处理器正上方，缩短数据传输路径，带宽和能效同时提升。
三星称，该键合技术最终可实现超过传统HBM5存储密度十倍以上的水平。用大白话说＝ 把仓库从隔壁搬到楼上，搬运距离短了，速度和效率都上去了。
市场需求端怎么看？
三星上周披露，与客户签订的长期协议最终或将占其存储销售额的60%–70%。这反映出AI需求的持续强劲，客户愿意提前锁定产能。
花旗分析师上月研报指出，尽管终端市场存在放缓担忧，DRAM与NAND供应链库存仍远低于历史正常水平。
BV-NAND能否如期从原型走向量产，将是验证三星在AI存储赛道竞争力的关键节点。
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