三星1d DRAM量产计划成形，最快明年末启动初期量产
Claire Weston
三星电子正推进第七代1d DRAM量产准备，量产设备最快明年二季度导入，初期量产最早明年末启动——这是三星AI存储路线图中的关键一步。
1d DRAM是什么，比现在的强在哪？
1d DRAM是第七代10纳米级DRAM，电路线宽约10至11纳米。
当前商用的上一代1c DRAM线宽约11至12纳米。这意味着→ 线宽每缩窄1纳米左右，芯片的性能和能效都往上走一档。
用大白话说＝ 同样面积的硅片上能塞进更多存储单元，速度更快、更省电。
为什么不是今年量产，卡在了哪里？
三星此前已完成1d DRAM样品制作和内部量产评估，市场一度预期今年就能量产。
但关键制造设备仍在开发阶段，设备没到位，量产无从谈起。
这反映出 先进DRAM的瓶颈不只在设计端，设备供应链的成熟度同样是硬约束。
现在的时间表是怎样的？
三星正与多家合作伙伴推进量产设备开发，目标最早明年二季度导入设备。
一位半导体行业人士透露：三星与伙伴正积极推进良率和性能稳定化研发，"目标是在明年二季度或三季度导入量产设备"。
考虑到设备导入后还需要调试和爬坡，实际初期量产最早在明年末。相关计划有望在今年年末左右具体化。
这对三星AI存储布局意味着什么？
1d DRAM将被用作第九代高带宽存储HBM5E的核心裸片（die，芯片上一个个独立的小方块，是堆叠的基本单元）。
HBM5E预计2029年商用。这意味着→ 1d DRAM是HBM5E的底层基础，它的量产节奏直接决定三星能否按时交付下一代AI存储。
用大白话说＝ 没有1d DRAM，HBM5E就是空中楼阁；明年末能不能顺利起量，是三星AI存储时间表的第一道关。
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