三星SK海力士混合键合引入时间推迟
Miles Bennett
三星与SK海力士将混合键合引入下一代HBM的时间表推迟至HBM4E的16层版本，厚度标准放宽和替代散热方案削弱了短期切换动力，但I/O密度翻倍将使该技术在HBM5E阶段重回必选项。
混合键合为什么没有按时上场？
混合键合（一种让芯片铜线路直接对接、不用焊球的连接工艺）原本预计随HBM4首次商用，但三星和SK海力士都沿用了传统的热压键合。
这意味着→ 业界最早引入混合键合的节点已推迟至HBM4E的16层版本，比此前预期至少晚一代。
用大白话说＝ 新技术不是不好，而是旧技术还能撑，厂商选择先不换。
厚度标准放宽——切换压力怎么就小了？
HBM3E及之前的产品受720微米厚度上限约束；HBM4放宽至775微米，芯片堆叠从8/12层向12/16层演进时有了更多空间。
JEDEC正在讨论将HBM5的20层产品上限进一步放宽至约1000微米（现行约900微米）。
这意味着→ 标准越宽松，压缩芯片间距的需求越弱，混合键合"省厚度"的核心卖点短期内不再紧迫。
12层还是16层——客户到底要哪个？
业内人士透露，客户与制造商关于16层HBM的讨论尚不活跃，12层预计在HBM4E阶段仍是主流。
三星12层HBM4E样品速率最高达16Gbps，较HBM4速度提升逾20%；SK海力士版本同样达到每引脚16Gbps，功耗效率提升逾20%。
用大白话说＝ 16层才是混合键合的主战场，但市场还没走到那一步，12层用旧工艺就够了。
不换键合方式也能解决散热？
混合键合的另一优势是去除导热性差的底部填充材料，改善散热。但两家公司各自开发了替代方案，绕过了这一需求。
三星方案叫热路径模块（HPB），SK海力士叫iHBM；两者都在HBM堆叠旁放置独立散热组件，目前均处于HBM5测试阶段。
这反映出 存储厂商倾向于在现有键合基础设施上"打补丁"，而非为散热一个理由就整体切换工艺。
I/O密度翻倍——混合键合什么时候变成必选项？
HBM4的I/O数量较上一代翻倍至2048个，要求芯片间距更紧密；热压键合的凸块在高密度下会横向扩展，可能难以为继。
业界正在讨论HBM5E将I/O数量再度翻倍至4096个，届时混合键合可能从可选变为必要技术路径。
三星研究数据显示，混合铜键合在服务器模拟条件下热点温度更低，并可将堆叠高度降低逾15%。
这是"退出"还是"排序"？
两家公司均在持续推进混合键合研发，当前策略更接近"排序"而非"退出"。
这意味着→ 在标准与客户需求趋于稳定的窗口期，厂商延续现有工艺；一旦I/O密度超出热压键合的承载上限，切换将不可避免。
用大白话说＝ 不是技术路线变了，是时间表往后挪了——混合键合从"下一代就用"变成了"再下一代再说"。
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