SK海力士2026年资本开支将达40万亿韩元高位，美日扩张待定
Taylor Wilson
SK海力士确认2026年资本开支升至约270亿美元的历史高位，全力押注AI存储制造；但美国和日本建厂尚无正式承诺，海外扩张仍悬而未决。
270亿美元花在哪？
2026年资本开支锁定40万亿韩元高位区间（约270亿美元），核心方向是扩大AI存储产能。
主要项目包括：M15X工厂加速量产爬坡、龙仁Fab1洁净室建设（计划2027年初开放）、PMD7扩大先进封装产能，以及M17作为新NAND生产基地。
这意味着→ SK海力士把绝大部分资金押在韩国本土的DRAM、NAND和封装三条线上，先把家门口的产能堆满。
HBM走到哪一代了？
HBM4已于2026年二季度开始出货，下半年进入全面量产。
更先进的HBM4E样品已在上半年交付主要客户，目标2027年量产。
公司同时在开发HBM5及配套散热技术——其中封装级散热方案IHBM可将热阻降低逾30%。
用大白话说＝ HBM（高带宽存储，给AI芯片"喂数据"的关键部件）正在一代接一代快速迭代，散热已经成为和芯片本身同等重要的工程难题。
NAND和AI存储产品线怎么布局？
321层NAND目前占SK海力士生产最大份额，年底前目标提升至韩国国内产能的50%。
AI存储不只靠一种产品——公司围绕不同工作负载构建组合：高性能TLC企业级SSD、高容量QLC企业级SSD、SLC模式专用SSD。
这意味着→ AI数据中心的需求正在分化：有的场景要速度，有的要容量，有的要耐久性，SK海力士在用"产品矩阵"而非单一爆款来覆盖。
基于1c纳米制程的SOCAMM2产品已开始供货。
美国和日本建厂，到底建不建？
公司尚未就美国或日本新建产能作出正式承诺。
企业中心总裁宋贤钟表示，海外产能决策将视商业可行性、电力与水资源、劳动力、当地半导体生态系统及客户可及性综合评估，"并非对某一地点存在固定偏好"。
用大白话说＝ SK海力士的态度是"条件合适就去，不合适就不去"——不会为了政治信号而仓促落地。
这反映出一个更深的信号：美日建厂能否落地，将是观察SK海力士全球产能布局真实意图的核心验证节点。
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