SK海力士龙仁晶圆厂启动设备订购，初期月产能2万片
Miles Bennett
SK海力士已向主要供应商下达龙仁Y1晶圆厂首批设备订单，初期月产能2万片晶圆；量产时间表提前约三个月，直接指向HBM4E的规模化供应窗口。
龙仁厂到底建到哪一步了？
设备订单已下达，锁定Y1厂第一洁净室（ph1）的先进DRAM产线。这意味着→ 项目已从"土建"阶段跨入"装机"阶段，量产准备正式启动。
最新时间表：2027年2月搭建试产线，3—4月安装主设备。原定5月投产的节点提前了约三个月。
设备定价谈判也从年底提前到第三季度初。用大白话说＝ 不只是建得更快，连买设备的账单都提前敲定了。
这条产线要造什么？
产线采用第六代10纳米级（1c）DRAM工艺（1c是目前最新一代商用DRAM制程），计划生产高价值DDR、低功耗DDR和HBM4E。
HBM4E样品已提前交付客户：采用32Gb芯片、12层堆叠，单颗容量48GB，带宽约4TB/s，能效较上一代HBM4提升逾20%。
这意味着→ 龙仁产能一旦释放，将直接填补HBM4E从样品到大规模出货之间的产能缺口。
为什么要抢着提前？
SK海力士CEO郭诺正判断：2027年将是行业史上供应最紧张的一年，供不应求状况将延续至2030年以后。
美瑞兹证券分析师金善宇估算，DRAM供应商目前仅能满足约75%—80%的需求；到2027年这一比例可能降至60%区间，即便剔除投机性订单也仅约70%。
用大白话说＝ 现在就缺货，明年更缺——提前建厂不是抢跑，是被需求逼着跑。
钱从哪来、花多少？
今年2月SK海力士宣布追加约2.16万亿韩元（约合144.8亿美元），用于Y1厂房主体及第二至六期洁净室。加上2024年7月已公告的约9.4万亿韩元，Y1首座晶圆厂总投资约31万亿韩元，生产设备费用另计。
整个龙仁集群规划四座晶圆厂，总投资预计达600万亿韩元。第四座厂的完工目标已从2045年提前至2033年。
这反映出SK海力士正在把一个原本横跨20年的超级工程压缩到不到10年来完成。
上下游接下来看什么？
Y1第二、三期洁净室预计2026年下半年启动建设，其他设备商也在为潜在订单做准备。这意味着→ 上游设备供应链将比原计划更早承接来自SK海力士的大额订单。
关键验证节点：供需缺口能否在2027年前得到有效缓解——这决定了加速扩产的节奏是否真正奏效。
用大白话说＝ 设备订单提前，说明SK海力士在赌需求持续强劲；如果需求不及预期，提前锁定的产能就会变成负担。
Content is for reference only, not financial advice.