SK海力士发布HBM内置冷却技术"iHBM"

SK海力士26日宣布推出新一代高带宽内存散热技术"iHBM"，通过在HBM封装内部集成冷却元件，将热阻降低30%以上，计划率先应用于HBM5等下一代产品。

随着AI算力需求爆发式增长，HBM正沿着两条主线演进：堆叠层数持续增加、数据传输速率不断提升。但性能跃升的代价是日益严峻的热管理挑战——芯片越快，发热越多。

在这一背景下，HBM基础晶粒（Base Die）与AI加速芯片之间的"D2D PHY"互联区域，已成为散热瓶颈的核心地带。这一区域电流密度高、空间狭小，传统封装结构难以有效导出热量，直接影响系统在持续高负载下的稳定性与性能表现。

SK海力士此次推出的iHBM技术，核心在于一种名为ICE（Integrated Cooling Elements，一体化冷却元件）的新型结构。

ICE采用不导电但热导率极高的硅基材料，在HBM封装内部专门为D2D PHY区域构建独立的热量排出通道。其设计逻辑颇为精妙：既要引走热量，又不能干扰芯片间的电气信号，绝缘性与导热性的兼顾是关键所在。

根据SK海力士披露的数据，iHBM可将热阻较传统方案降低30%以上，在高温、高负载环境下仍能维持稳定运行，直接回应了AI数据中心对长时间满负荷工作场景的严苛需求。

公司表示，iHBM基于已在市场中得到充分验证的MR-MUF（Mass Reflow-Molded Underfill）晶圆级封装工艺，具备直接导入大批量生产的能力，无需重建生产线。更重要的是，该技术与客户现有的SiP（系统级封装）设计环境高度兼容，无需大幅修改现有系统设计即可导入，显著降低了客户的切换成本与技术整合难度。

这两点意味着iHBM不是一个遥远的路线图承诺，而是已做好产业化准备的工程方案。

SK海力士计划从HBM5等下一代产品起正式引入iHBM技术，目标市场直指AI数据中心与高性能计算（HPC）等对热管理要求最为严苛的应用场景。

SK海力士副社长李康旭表示："iHBM是将内存设计能力与先进封装技术深度融合的发热最小化解决方案，将进一步巩固公司在AI内存领域的领导地位。"

在HBM赛道上，SK海力士凭借HBM3E已确立领先身位，并持续向英伟达等顶级客户供货。此番iHBM技术的发布，是该公司在"性能之外"开辟第二战场的明确信号——当算力竞争进入深水区，谁能解决散热难题，谁就掌握下一代AI基础设施的入场券。