SK海力士年底量产375层NAND，首次引入钼材料
Alina Collins
SK海力士计划年底量产375层3D NAND，首次用钼替代部分钨工艺；这意味着NAND闪存正式进入「材料换层数」的新阶段，设备与材料供应链格局随之改写。
为什么原来说好的400层，变成了375层？
该产品内部代号原为「400层级NAND」，但超高层叠工艺中沟道孔蚀刻（在几百层薄膜中打一个极深极细的直孔）难度过大，最终下调至375层。
这意味着→ 层数不是「想堆多高就堆多高」，制造精度到了这个高度会反过来限制设计目标。
后续路线图已排到480层和604层，说明375层只是当前工艺能力的妥协点，不是终点。
不建新厂，怎么量产新产品？
SK海力士不新建晶圆厂，而是对清州M15现有产线进行改造，把原来生产176层、238层、321层的线切换到375层。
用大白话说＝ 同样的工厂、同样的设备位，换上新工艺做更高层数的产品——产能不增加，但每片晶圆产出的存储比特更多，成本更低。
目前375层NAND已完成生产验证，正准备向量产线转移。
为什么一定要换材料——钨到底出了什么问题？
随着层数增加，字线（word line，每一层存储单元的信号通道）宽度不断缩窄，钨的电阻随尺寸缩小而急剧上升，信号传输变慢。
钼（Mo）在细微结构中电阻更低，可直接提升读写和擦除速度。
还有一个隐性好处：钨沉积前需要额外的阻挡衬层（barrier liner），每层都有厚度损耗；钼可以直接沉积，省掉辅助层，为更高密度结构腾出物理空间。
这反映出 NAND从「比谁堆得高」进入了「比谁的材料能撑住更高层数」的竞争——材料科学正在取代纯结构工程，成为制胜关键。
设备选型：SK海力士为什么选了TEL而不是泛林？
三星2024年4月率先在第九代286层NAND中引入钼工艺，用的是泛林集团（Lam Research）的单片处理设备。
SK海力士评估了泛林和东京电子（TEL）两套方案后，选择了TEL的炉管式沉积设备——一次可处理约100片晶圆。
这意味着→ 炉管方案在设备成本、占地面积和钼材料消耗上都更省，适合大规模量产场景。两家巨头在钼工艺上走了不同的设备路线。
钼材料供应链：谁在供货，缺口有多大？
预计向SK海力士供应钼材料的厂商包括法国液化空气集团（Air Liquide）、恩特格里斯（Entegris）和默克集团（Merck KGaA）。
韩国本土供应商SK Specialty也在洽谈中，但目前不具备自有储存与配送系统，正讨论借助Air Liquide的配送基础设施供货。
用大白话说＝ 韩国本土想自己做这门生意，但「最后一公里」的罐储和运输能力还得靠海外巨头搭桥。
钼的用量会涨多快？
业内估算三星钼采购量：2024年约4吨→ 2025年约10吨→ 2027年25吨→ 2030年80吨，六年增长20倍。
SK海力士明年起正式用钼，初期年消耗量估计约4吨。
这意味着→ 三星加上SK海力士，两大巨头同时放量，钼材料供应链正进入快速扩张周期——上游材料商的产能规划将成为下一个瓶颈观察点。
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