50家亚洲机构调研：存储板块情绪偏弱，云厂商资本开支成核心变量
Miles Bennett
超50家亚洲机构投资者在港路演中集中反馈：存储板块情绪在6月财报季前整体偏弱，云厂商数据中心资本开支与卖方存储市场预测之间的严重背离，是当前压制估值的核心矛盾。
云厂商资本开支为什么成了存储板块的"命门"？
卖方分析师对存储市场空间的上调幅度，已大幅超过云厂商实际给出的资本开支指引——预期跑在了花钱的人前面。
部分投资者预计，未来3–6个月市场会把对应周期的资本开支预期推高至1万亿–1.5万亿美元区间。
这意味着→ 如果云厂商最终上调幅度有限，市场会直接解读为存储利空。研究方判断，这一个变量目前占存储板块情绪权重约70%。
涨价动能走弱，韩国厂商利润预测还在被下修？
2026年二季度过后，存储同比涨价动能与环比涨价弹性同步走弱。
韩国存储厂商二季度营业利润预测持续被下修，加重了市场观望情绪。
用大白话说＝ 涨价的力气不够了，利润预期也跟着缩水，6月财报季前投资者不敢轻易下注。
长协模式——投资者变乐观了，还是只是问题换了个问法？
与3–6个月前相比，投资者的关注点已从"长协是否可行"转向"存储厂商如何依托长协与核心客户建立长期绑定"。
但超过半数机构仍持谨慎态度：短期内长协对现货价格和利润率的实际影响尚不明确，市场担忧短期利润存在天花板。
这意味着→ 研究方从完整周期角度反驳悲观论——长协的核心价值不在于推高当前利润，而在于平滑下行周期中价格50%–70%的暴跌风险。
HBM均价到底能涨多少——买方和卖方为什么差这么大？
超过半数买方机构预期明年HBM均价同比翻倍，逻辑是：只有每GB价格翻倍，HBM利润率才能显著追上普通DDR5内存。
研究方判断合理涨幅区间为25%–30%，需结合HBM对整体DRAM供需平衡的损耗比例(HBM生产会消耗大量DRAM产能，挤压普通DRAM供给)综合测算。
用大白话说＝ 买方想要"翻倍才够本"，研究方认为"涨三成已经是合理天花板"——分歧的根源在于对HBM产能挤出效应的测算不同。
DRAM和NAND谁更紧缺——中国厂商会不会搅局？
两者均偏紧，但DRAM紧缺程度更高：DRAM自给率仅50%–60%，NAND为70%–80%。
投资者对中国存储厂商竞争风险暂无明显担忧：若中国DRAM厂商将新增产能倾斜供给本土AI推理芯片配套HBM，反而会分流传统通用DRAM的供给压力，叠加行业整体缺货，对海外龙头冲击有限。
供应链消息显示，中国头部NAND厂商明年新建厂房将同步布局DRAM和NAND产线，洁净间产能各占一半，有望在2028年前持续优化NAND供需格局。
韩国3万亿美元AI投资计划——利好还是利空？
市场初期解读偏负面：担忧该计划会弱化行业供给约束、加速扩产，稀释存储厂商的定价权。
研究方认为，资本开支落地存在大量变量，供给扩充是承接AI海量资本开支的必要条件，才能保障存储维持合理的产业价值占比。
这反映出 当前市场对存储板块的核心判断框架：云厂商资本开支的实际上调幅度，将是本轮情绪能否扭转的关键验证节点。
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