三星赴日布局3.xD chiplet先进封装，横滨实验室正式投入运营
nashnova research
三星电子横滨先进封装实验室2026年9月全面运营，近百名工程师联合50余家日企攻关3.xD chiplet技术，五年投入400亿日元——先进封装正式升格为三星第三大战略支柱。
横滨实验室到底在做什么？
实验室聚焦3.xD chiplet技术（把2.xD平铺互连和3D垂直堆叠合在一起的封装路线），目标是造出面向AI和高性能计算的大面积芯片模块。
试验线四个方向：细间距芯片对晶圆键合、大面积树脂中介层（用特种树脂代替硅做芯片之间的"桥梁"，成本更低、面积可以做更大）、大基板上的细间距倒装贴装，以及多芯片模块的供电优化。
这意味着→ 三星瞄准的不是单纯把芯片叠高，而是把封装面积做大、把不同类型的芯片拼在一起还能稳定供电——这恰恰是当前chiplet量产的最大瓶颈。
为什么选在日本？钱从哪来？
三星计划五年投入400亿日元，日本中央政府补贴最高200亿日元，横滨市再追加25亿日元——政府资金占比接近总投入的一半。
近100名日韩工程师驻场协作，合作方超过50家日企，包括设备商东京电子和基板供应商揖斐电。
用大白话说＝ 日本在基板、特种材料、半导体设备上的积累是三星自己补不了的短板，把实验室建在供应商门口，工艺联调的速度快一个量级。
先进封装在三星内部地位怎么变了？
2026年8月FMS大会上，三星明确把先进封装与存储、晶圆代工并列为三大战略支柱，覆盖从设计到量产的全流程。
三星还预告了zHBM概念——将HBM（高带宽存储）垂直堆叠在AI加速器正上方，而非传统的并排放置，但尚未将zHBM与横滨项目直接挂钩。
客户端信号同步释放：三星与博通7月签署合作备忘录，在存储、先进代工及封装三个领域扩大协作，覆盖面向AI与网络芯片的2.3D和2.5D集成。
和台积电日本布局比，有什么不一样？
台积电更早入场：2021年设立日本3DIC研发中心，2022年在筑波完成洁净室建设——这是台积电在台湾以外首个配备洁净室的研发设施。
技术侧重不同：台积电聚焦逻辑+存储+外围器件的高密度3D封装，三星则明确指向大面积3.xD chiplet模块，重点突破树脂中介层和大尺寸基板工艺。
这反映出两条路线的分野：台积电从"叠得更密"切入，三星从"铺得更大"切入——最终谁能把技术积累转化为可量产的差异化能力，是这笔投资价值的核心看点。
项目进展到哪一步了？
日本经产省2026年6月阶段性评估显示，项目进展符合计划，预计2028财年完成。
用大白话说＝ 从投钱到出成果，三星给自己画的时间线大约是四到五年；现在刚过中段，还没到验证量产能力的关键节点。
市场有风险，内容仅供研究参考，不构成投资建议。